技術(shù)編號(hào)：2775978
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明一般來說是關(guān)于半導(dǎo)體制造操作，且特別是關(guān)于一種改善的方法與系統(tǒng)，用以制造將被使用在光刻法(photolithography)過程中并具有傾斜特征的掩模。背景技術(shù) 現(xiàn)代微電子組件常見的制造方式是使用光刻法過程將電路設(shè)計(jì)印到一個(gè)晶片(wafer)基底(substrate)上。在此過程中，一半導(dǎo)體晶片首先被涂上一光阻層。然后利用一掩模影像(photomask、mask、reticle皆被視為掩模)將此光阻層曝露于一照明光，接著此光阻層被顯影。顯影之后，此上...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。