技術編號：2772332
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明系大致有關半導體裝置之領域，尤系有關在制造半導體裝置時形成窄間隔閃存數(shù)組的位線或字線接觸的接觸開孔。背景技術 閃存是一種可重新寫入且可在不供電時保持其資料內(nèi)容之非揮發(fā)型內(nèi)存。閃存及其它類型的電子內(nèi)存裝置系由可個別儲存及擷取資料的記憶單元(memory cells)構成。典型的記憶單元儲存被稱為一位的單一的二進制之信息，而一位具有兩個可能狀態(tài)中之一狀態(tài)。所述記憶單元通常被組織成諸如具有八個記憶單元的字節(jié)、及具有十六個或更多之記憶單元，該多個記憶單元通常...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。