技術編號：2757900
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及用于半導體微處理的化學放大型正光刻膠組合物。通常，在半導體微處理中已采用應用光刻膠組合物的光刻技術。在光刻技術中，原則上隨著曝光波長的減短(表示為受Rayleigh’s衍射限制的方程)，可以改善分辨率。已采用波長436nm的g-線、波長365nm的i-線和波長248nm的KrF激發(fā)激光(excimer laser)，作為用于制備半導體光刻技術的曝光源。因此，使用的波長逐年變短。波長為193nm的ArF激發(fā)激光被認為有希望成為下一代的曝光源。與用于...
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