技術(shù)編號：2735076
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)，尤其涉及一種從較低層例如品片或襯底除去有機化合物構(gòu)圖層的方法。另一方面，浸入化學溶液是濕洗的一個典型的例子。將光致抗蝕掩模浸入到化學溶液中，以使有機化合物溶解在化學溶液中。在干洗和濕洗之間的折衷方式包括在干灰化之前預處理。將用光致抗蝕掩模覆蓋的半導體晶片浸入化學溶液中，或暴露于化學溶液。預處理消耗了干灰化所花費的時間。當制造者決定僅通過干灰化從半導體晶片除去光致抗蝕掩模時，以下稱為“完全干灰化”，光致抗蝕掩模持續(xù)地暴露于干清洗劑...
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