技術(shù)編號(hào)：2727084
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的方法，以及更具體地，涉及一種 形成硬掩模圖案的方法，其中圖案的間距小于所使用膝光設(shè)備的分辨率。技術(shù)背景光刻工藝中形成的圖案的最小間距根據(jù)漆光設(shè)備中使用的暴露光的 波長(zhǎng)而變化。隨著半導(dǎo)體器件集成程度的快速提高，必須使用波長(zhǎng)短于 目前所使用波長(zhǎng)的光來減少圖案的間距。為此目的，可以使用X射線或 電子束，但是它們由于技術(shù)問題、生產(chǎn)率等仍然處在試驗(yàn)階段。因此已 經(jīng)建議使用兩次膝光和蝕刻工藝(DEET)。圖1A到1C是描述傳統(tǒng)的兩次瀑光蝕...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。