技術(shù)編號(hào)：2711415
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及液晶顯示，公開了。該方法通過形成溝道區(qū)域上保留有光刻膠的氧化物半導(dǎo)體層圖案，從而在氧化物半導(dǎo)體層圖案上形成源電極和漏電極的構(gòu)圖工藝中，溝道區(qū)域上保留的光刻膠能夠保護(hù)該溝道區(qū)域不被源漏金屬刻蝕液刻蝕，保證薄膜晶體管的半導(dǎo)體特性不受影響。專利說明[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示，特別是涉及。背景技術(shù)[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有體積小、功耗低、...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。