技術(shù)編號(hào)：2706738
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型公開了一種陣列基板及顯示裝置，該陣列基板包括襯底基板、依次形成在所述襯底基板上的緩沖層、半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵金屬層、層間介電層、源漏金屬層以及像素電極層，還包括形成在所述襯底基板與所述緩沖層之間的公共電極層。在本實(shí)用新型所述技術(shù)方案中，由于可在形成緩沖層之前，在襯底基板上形成公共電極層，使得公共電極層不僅可與像素電極層形成存儲(chǔ)電容，還可與半導(dǎo)體層形成存儲(chǔ)電容，起到了增大陣列基板的存儲(chǔ)電容、提高陣列基板的像素電壓保持率以及降低顯示裝置的閃爍等不...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。