技術編號：2699803
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種具有多晶硅薄膜晶體管的平板顯示裝置，并且特別涉及一種具有多晶硅薄膜晶體管的平板顯示裝置，其中形成在平板顯示裝置中包括的薄膜晶體管的有源溝道區(qū)中的多晶硅的晶界數(shù)根據(jù)薄膜晶體管而變化。背景技術 已知，存在于有源溝道區(qū)中包括的多晶硅晶界上的成鍵缺陷(諸如懸鍵)，在使用多晶硅制造薄膜晶體管(以下稱作“TFT”)時，對電荷載流子起陷阱的作用。因此，晶粒的尺寸、晶粒尺寸的均勻性、晶粒的數(shù)量和位置、以及晶粒的方向不僅直接和/或間接地對諸如閾值電壓(Vth)...
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