技術(shù)編號(hào):2699562
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供一種SOI基波導(dǎo)耦合器及其制備方法,包括以下步驟提供一SOI襯底,在所述SOI襯底的頂層硅上形成第一氧化層;在所述第一氧化層上形成第一窗口;自該第一窗口外延生長(zhǎng)形成硅島;在所述硅島外形成第二氧化層;在所述硅島上表面的部分第二氧化層上形成第二窗口;濕法腐蝕,在所述第二窗口下的硅島處形成傾斜角為0.5°-4°的斜面,再去除剩余的第二氧化層;套準(zhǔn)光刻后構(gòu)圖,形成垂直和水平方向尺寸分別線性減小的耦合器。本發(fā)明利用硅外延生長(zhǎng)、各向異性溶液腐蝕等硅微機(jī)械加工...
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