技術(shù)編號(hào):2672909
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種化學(xué)放大型正光刻膠組合物,可用于半導(dǎo)體生產(chǎn)中的精密加工。半導(dǎo)體生產(chǎn)中的精密加工通常采用使用光刻膠組合物的光刻技術(shù)。在光刻法加工中,主要通過(guò)縮短曝光的波長(zhǎng)提高分辨率,如Rayleigh方程所示,以限制衍射。因此,用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的光刻法加工的光源波長(zhǎng),以這樣的次序如波長(zhǎng)為436nm的g-ray、波長(zhǎng)為365nm的i-ray、波長(zhǎng)為248nm的KrF激發(fā)物激光,而變得越來(lái)越短。預(yù)期193nm的ArF激發(fā)物激光是下一代光源。由于與常規(guī)曝光光源的透鏡相...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
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- 楊老師:物理電子學(xué)