技術(shù)編號(hào)：2670484
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，尤其涉及由于注入處理而表面具有殘留物并具有剝離形貌的晶片。該方法包括從襯底上把殘留物去除到基本等于剝離形貌的水平高度，從而在襯底上獲得基本均勻的平坦表面，然后拋光襯底的整個(gè)表面以消除缺陷。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體技術(shù)中，襯底(尤其是半導(dǎo)體技術(shù)中的半導(dǎo)體晶片)的重復(fù)利用或再加工在新材料成本方面提供了節(jié)省大量金錢的機(jī)會(huì)。晶片重復(fù)利用工藝本質(zhì)上包括三個(gè)主要步驟去除不需要的材料、拋光和清洗。如圖1a到1f中示意性所示，晶片重復(fù)利用在SMART-CUT工藝中...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。