專利名稱：重復利用襯底的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及重復利用襯底的方法，尤其涉及由于注入處理而表面具有殘留物并具有剝離形貌的晶片。該方法包括從襯底上把殘留物去除到基本等于剝離形貌的水平高度，從而在襯底上獲得基本均勻的平坦表面，然后拋光襯底的整個表面以消除缺陷。
背景技術：
在半導體技術中，襯底(尤其是半導體技術中的半導體晶片)的重復利用或再加工在新材料成本方面提供了節(jié)省大量金錢的機會。晶片重復利用工藝本質上包括三個主要步驟去除不需要的材料、拋光和清洗。
如圖1a到1f中示意性所示，晶片重復利用在SMART-CUT工藝中起著特別重要的作用。在該示例中，氧化第一硅晶片1以形成氧化層3，然后注入氣態(tài)物質，諸如氫離子或氣體離子4(圖1c)。這種注入產生了含有微孔、片晶和/或微氣泡的埋在表面之下的弱化層。把注入處理后的晶片粘結到第二硅晶片2上(圖1d)，然后在對應于注入物質的滲透深度5的深度劈開而剝離該晶片(圖1e)。結果產生了SOI(絕緣體上硅，siliconon insulator)晶片，其包括最初的第二晶片2和SOI層7以及剩下的剝離晶片1’，該剝離晶片1’是第一硅晶片1的一小部分。
剝離晶片1’不能直接再利用，因為它含有受損而且粗糙的表面8，該表面8被凸緣9以位于晶片1’外圍部分的臺階的形式包圍。凸緣9是在SMART-CUT工藝中的粘結過程中形成的，其中，晶片1和2兩者的表面除了晶片不平坦的邊緣部分之外都被粘結在一起。具體而言，當把第一晶片從第二晶片剝離時，與第二晶片2粘結在一起的第一晶片1的部分表面轉移到第二晶片2上。被排除在外的沒有粘結的邊緣部分沒有轉移，它形成了剝離晶片1’的凸緣9。在含有初始晶片2和從第一晶片1分離的SOI層7的正晶片的邊緣也發(fā)生了材料損失。
為了再利用剝離的剝離晶片1’，必須使圖1f中所示的不均勻剝離形貌變得平坦。通常使用化學和/或機械拋光(CMP)來從晶片表面的不平坦表面形貌上去除殘留材料，以在整個晶片上獲得均勻平面化。把晶片擱在拋光墊(未顯示)上，將載荷力施加給包括晶片1’的凸緣9的整個表面8。然后，當含有研磨劑和反應化學制劑的研漿從下方通過時，使拋光墊和晶片反向旋轉。這種重復利用方法需要從晶片上去除太多的材料，并且使所重復利用的剝離晶片的全域厚度差(total thicknessvariation，TTV)達到合理的可接受的值所需的處理時間太長。這限制了晶片再生的次數。此外，晶片在平坦化處理期間有破裂的危險，尤其是在反復再生晶片的時候。
美國專利No.6284628描述了一種用于重復利用上述類型的剝離晶片的方法，其中，對剝離晶片表面進行拋光，從表面去除大約1μm材料，然后在1000℃到晶片材料熔點之間的溫度下的還原介質中熱處理幾個小時。這種熱處理給所處理的晶片施加了很大的應力并需要很多能量和處理時間。
如果可以利用一種不包括熱處理的方法，這將是有利的，該方法使襯底可以更頻繁地再利用，并且可以生產具有低全域厚度差的再生襯底，從而可以獲得良好的平坦表面質量。

發(fā)明內容
本發(fā)明涉及重復利用襯底的方法。該襯底由于離子注入處理而具有表面殘留物和剝離形貌。該方法包括下述步驟從襯底上把殘留物去除到基本等于剝離形貌的水平高度，以在襯底上獲得基本均勻的平坦表面；以及拋光襯底的整個表面以消除缺陷并制備能與另一個襯底進行分子焊接(molecular bonding)的表面。
可用多種方法中的任意一種來去除殘留物?？墒褂镁植繏伖鈦砣コ龤埩粑铩Ｔ谶@種情形下，為獲得最佳效果，拋光處理要相對于襯底表面成特定角度而施加機械壓力。此外，這種方法還包括使用機械式輪廓曲線儀來控制殘留物的去除以精確地獲得最終表面。
也可以使用化學浸蝕來去除殘留物。在這樣做之前，最好在去除殘留物前使用保護層覆蓋表面上的區(qū)域。該保護層可由光刻法形成。一般而言，保護層是抗侵蝕材料并在化學去除殘留物之前使用。
也可以使用局部離子轟擊(ion attack)來去除殘留物?？墒褂秒x子和離子束中的至少一種來轟擊殘留物以切斷殘留物。例如，可把離子束大致垂直地導向襯底表面，以去除殘留物。氬離子束適合于這種用途。激光束也可用來切斷殘留物。通常將激光束至少聚焦在界面上，例如調整為平行于襯底的表面。如果需要，可以使用具有縫隙的屏蔽板將激光束聚焦到殘留物上。
殘留物也可由機械方法去除。例如，可通過將水射流、空氣射流和流體射流中的至少一種對準殘留物以切斷殘留物。這時，射流最好相對于表面成銳角來對準殘留物，以使射流至少沖擊在界面上。
除去殘留物的另一種途徑是在襯底的背面施加沖擊波以切斷殘留物。旋轉襯底有助于去除或切斷殘留物。如果需要，可以逐片地去除或切斷殘留物。
從襯底上切斷殘留物的目的在于在襯底上更好地獲得基本均勻的平坦表面。如果需要，在去除殘留物后，可以平面化襯底的整個表面，以使得該表面能與另一個半導體襯底粘結。一般而言，表面在平面化過程中大約變薄0.1～0.3μm，最好為0.2μm，這個量對應于由注入處理所導致的損傷的大概深度。此外，無需熱處理而使襯底得到了總體的平面化。
因此，本發(fā)明提供了重復利用晶片的改進方法，其使得能夠更頻繁地再利用再生晶片，并使得能夠以很小的全域厚度差制造再生晶片，其中可以獲得良好的平坦表面質量。


在下述說明中參考附圖描述本發(fā)明的實施例，其中圖1a到1f顯示了傳統(tǒng)的SMART-CUT工藝；圖2顯示了根據本發(fā)明第一實施例的把水射流或空氣射流施加給殘留物或凸緣；圖3顯示了根據本發(fā)明第二實施例的把激光束施加給殘留物或凸緣；圖4顯示了根據本發(fā)明第三實施例的把沖擊波施加給襯底背面；圖5顯示了根據本發(fā)明第四實施例的在晶片邊緣處的局部拋光；圖6顯示了根據本發(fā)明第五實施例的在晶片邊緣處的選擇性化學浸蝕；圖7顯示了根據本發(fā)明第六實施例的以離子和/或離子束轟擊凸緣或殘留物；以及圖8顯示了根據本發(fā)明第七實施例的在晶片邊緣處的局部離子轟擊。
具體實施例方式
本技術選擇性地從晶片上去除凸緣或殘留物，以獲得平坦表面。可通過局部處理而逐片地切斷殘留物，從而在整個襯底上產生平滑表面。由于僅去除了殘留材料，所以只發(fā)生非常小的材料損失。因此，與使用傳統(tǒng)再生技術相比，可以更加頻繁地再利用或再生襯底。另一個優(yōu)點在于當使用本方法時所再生的襯底僅產生非常小的全域厚度差。由于減少了所去除的材料，所再生的襯底可在更多再生步驟中使用，因而更加穩(wěn)定。因此，該方法減少了襯底破裂的危險。另外，用來切斷凸緣的方法使襯底的處理過程縮短，提高了再生的生產率。
這種方法對于界面材料已經由于注入步驟而弱化的襯底的再生尤其有利。這種襯底的已經弱化的材料用作為預定斷裂點，在該預定斷裂點處去除凸緣。
在一個實施例中，水和/或空氣和/或流體的射流通過沖洗和/或噴射而有效去除凸緣或殘留物。最好以殘留物去除后不影響襯底表面的方式瞄準射流?？梢园焉淞鞯哪芰考性诮缑嫔弦钥焖偃コ龤埩粑铩?br> 在另一個實施例中，可以使用激光束來去除凸緣。激光束可至少照射在表面和凸緣之間的界面上，該界面可用作為斷裂點。以這種方式去除凸緣可以提供特別光滑的平坦表面。激光束也可以調整為平行于晶片表面的方向并且瞄準界面以有效去除材料。
也可以在襯底的背面施加沖擊波。該沖擊波引起凸緣邊緣之間尤其是界面處的摩擦力。
在另一個實施例中，這種方法包括通過連續(xù)使殘留材料變薄而只對殘留物或靠近襯底邊緣的表面區(qū)域進行平面化處理。該技術獲得了光滑表面，并可以精確控制，使得來自上方或側面的連續(xù)轟擊以及去除表面非均勻性或靠近邊緣區(qū)域的殘留物的處理只去除了所需量的材料。因為材料的去除受到限制，所以僅去除了很少量的材料，并且所產生的再生襯底較厚，因而更加穩(wěn)定，同時減少了在再生處理中破裂的危險。因此，這種方法使得襯底可以更加頻繁地重新利用或再生。此外，該再生襯底具有很小的全域厚度差。
在本發(fā)明的另外一個實施例中，向襯底邊緣施加機械壓力，其中，該壓力相對于襯底表面成一定角度。該機械壓力加快了襯底邊緣處表面上的材料的去除。所施壓力的角度方向有助于把去除的材料推到一邊。在本發(fā)明的一個有利的變型中，由機械式輪廓曲線儀控制從表面上去除材料。該測量儀器提供了所去除材料的精確測量。
本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施例使用了選擇性化學浸蝕來去除殘留物。在執(zhí)行中，僅處理襯底邊緣而不浸蝕襯底的其它部分?；瘜W浸蝕提供了有效的材料磨蝕。
在本發(fā)明的另一個示例中，由保護層覆蓋被邊緣區(qū)域包圍的表面區(qū)域。該層保護了邊緣之間的區(qū)域免受靠近邊緣的材料的去除的影響。在執(zhí)行中，該保護層是耐腐蝕材料。該耐腐蝕材料特別保護邊緣之間的表面免受物理和/或化學腐蝕劑的腐蝕。在本發(fā)明的另一個有利的變型中，該保護層由光刻法形成，這使得可以高精度地沉積和/或硬化保護層，尤其是邊緣之間的表面區(qū)域內的保護層。
也可以通過使用離子和/或離子束轟擊凸緣的方法來去除凸緣。在執(zhí)行中，在界面處轟擊凸緣。界面非常適合這種轟擊，因為它是預定斷裂點，并且在切斷殘留物后可以提供良好的均勻表面。
在另一種實施方式中，通過把離子(最好是離子束)引導到襯底邊緣處，從而進行局部離子轟擊?？梢跃_地將離子轟擊局限在襯底的邊緣，以有效去除材料。在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施例中，通過大致垂直于襯底表面導入離子束來進行離子轟擊。離子束的大致垂直方向使得可以選擇性地并有效地去除材料。在本發(fā)明的又一個優(yōu)選實施例中，通過將氬離子束導向靠近襯底邊緣的區(qū)域來進行離子轟擊。氬離子可容易地加速并引導到該區(qū)域，因此方便了材料的去除。
在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施例中，在殘留物的削去或去除過程中旋轉襯底。旋轉使得去除劑的施加更為穩(wěn)定，并且通過旋轉襯底可以處理環(huán)繞襯底的整個邊緣。
根據本發(fā)明的又一個優(yōu)選變體，在去除凸緣后，對包括邊緣區(qū)域的整個表面進行平面化，以提供非常光滑的表面，尤其是位于原先凸緣所在處之間的過渡區(qū)域。這種方法能進一步改善再生襯底的全域厚度差。
在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施例中，包括邊緣的表面在平面化步驟中減薄了大約0.1～0.3μm，通常是0.2μm，以去除注入步驟所引起的任何損傷。在本發(fā)明的另一個示例中，可以使襯底平面化而不用進行熱處理。因此，不僅襯底上的熱應力非常低，而且避免了熱處理所需的長處理時間和高能量消耗。
圖2到圖8顯示了可與圖1所示晶片1’相比的硅晶片1’，圖1所示的晶片1’是根據參考圖1a到1e所示的SMART-CUT技術進行處理而產生的。但是，不需要使用SMART-CUT技術預處理晶片或襯底。可以使用不同的技術來預處理晶片或襯底。一般而言，可使用本方法來再生所有至少在表面不均勻的襯底。典型的材料是各種形式的硅，例如CZ硅、NPC硅、EPI硅、FZ硅，鍺、藍寶石、碳化硅(SiC)，AIIIBV化合物，諸如砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化銦(InP)、以及它們的合金，或鍺硅(SiGe)及其氧化物。這些材料可以是摻雜或不摻雜、絕緣體、半絕緣體或Epi材料。另外，所處理的襯底并不限于晶片。襯底可以具有可用于半導體技術領域的任何形式或尺寸。
眾所周知，圖2到8所示的硅晶片1’具有薄圓盤形狀。圖2到圖8顯示了具有旋轉對稱形狀的襯底的垂直截面圖。晶片1’具有殘余物或靠近晶片的邊緣27的凸緣9，該晶片在圖1c所示SMART-CUT技術的注入步驟經氫離子處理。若從上方觀察，凸緣9沿著與晶片的圓盤形狀相似的邊緣27在圓周方向延伸。在硅晶片的情況下，殘余物9含有硅和/或氧化硅。在晶片1’的上側具有由殘留物9圍繞的平坦表面8。表面8和殘留物9形成了由上述SMART-CUT技術的方法處理而產生的襯底形貌。表面8的最外部分形成了表面8與凸緣或殘留物9之間的界面20。該界面20由于注入處理而具有弱的材料穩(wěn)定性。
凸緣9具有約1～5mm之間的寬度以及從界面20開始測量的大約10nm到2mm之間的厚度。凸緣9環(huán)繞內部部分24，而凸緣9之外的區(qū)域是外部區(qū)域25。界面20的假想平面26擴展到晶片1’之外。除形貌外，襯底由邊緣27和圖2到8所示襯底的底側的背面28限定。凸緣9和表面8可由薄氧化膜覆蓋，可在進一步處理以使晶片表面8平坦之前去除該薄氧化膜。
圖2顯示了本發(fā)明的第一實施例，其中，將水射流10和/或空氣射流11導向凸緣9。從表面8的內部部分25向外以銳角將該射流導向殘留物9。射流10和11可單獨、或一個接一個地或彼此同時施加。射流可分別從上側以銳角并且向外導向凸緣9，其中，這些射流至少可以沖擊在表面8和凸緣9之間的界面20上。使用流體射流是有利的，因為它不會損傷表面8。除了水或空氣之外，可以使用任何合適的流體。例如，可使用超純水或惰性氣體，例如氮或氬離子。在執(zhí)行中，流體源靠近凸緣9，射流的大小為大約1mm或更小的直徑?？梢允┘訖C械壓力，以幫助切斷在界面20的弱化區(qū)的凸緣。
橢圓形箭頭17描述了晶片1’繞垂直于晶片的盤狀表面的中心軸的旋轉。旋轉晶片使射流源的位置可以保持不變，優(yōu)選位于內部部分24的上方的位置，以使射流固定不變地指向界面20上的特定點。隨著晶片旋轉，沿晶片1’的圓周逐片地切斷凸緣9。在該凸緣去除操作過程中，位于凸緣9底部的弱化或預弱化區(qū)域承受機械壓力。
在去除凸緣后，可以使用傳統(tǒng)CMP工藝對包括邊緣在內的整個表面8進行短時間的最終接觸拋光。在該步驟中，最多去除約0.2μm的材料，這個量大致對應于由于在制造分離晶片1’的SMART-CUT技術中使用注入步驟而受損的區(qū)域的上限。該最終拋光消除了圖1a到1f所示的注入步驟導致的缺陷，并提供了拋光表面8的良好TTV。
圖3顯示了本發(fā)明的第二實施例，其中，使用激光束12、13來切斷凸緣9。如上對圖2所述，圖3描述了帶有凸緣9的晶片。箭頭12和13描述了激光束，其中，從晶片1’的外部施加激光束12，從晶片1’的內部部分24施加激光束13。這些激光束被調整為平行于表面8，并照射在界面20上。激光源可以是受激準分子激光器(Excimer laser)，其通過UF光子釋放出切除能量。也可以使用YAG(含釹或二氧化碳的釔鋁石榴石激光器)，其中頻率可以加強。所使用的激光的種類取決于將要去除的材料的類型。
可以使用瞄準系統(tǒng)來對激光束12、13進行定向，以聚焦在界面20的局部弱化區(qū)域上。帶有縫隙16的屏蔽板15可設置在晶片1’的邊緣27一側。激光束12由縫隙16直接聚焦在界面20上。激光束12、13可通過光纖聚焦在殘留物或凸緣9上。另一種實施方式使用了反射鏡14。該反射鏡可位于表面8的中心并與其垂直。該反射鏡把激光束13從其內部位置平行于表面8反射到界面20上。橢圓箭頭17仍然表示在切斷操作過程中可以使用的晶片1’的旋轉方向。
若晶片1’已由SMART-CUT技術制造出來，則界面20是局部弱化或預弱化區(qū)域。激光束12、13中的一者或兩者可以直接聚焦在界面20上。激光束逐片地從表面上切斷凸緣9，并且可以通過適當的方式另外施加機械壓力，以幫助從表面8上剝離預切斷的凸緣9。然后與第一實施例相似，對該表面進行最終拋光處理。
圖4顯示了本發(fā)明的第三實施例，其中，在硅晶片1’的背面28上施加沖擊波19。帶有凸緣9的硅晶片1’具有與上面圖2和圖3相關的說明相同的結構。相同的標號指代如前面相應描述所示的相同的部分?？梢酝ㄟ^能量脈沖施加沖擊波19，該能量脈沖所產生的沖擊波19的振幅適合于使凸緣9在界面20處從晶片1’上剝離。沖擊波19可以是單個脈沖或多個重復脈沖。若界面20已被弱化，例如通過SMART-CUT技術中所用的原子物質的注入而弱化，則這種方法尤其有利。
施加沖擊波19的目的僅在于把凸緣9從晶片1’分離成小片，最好在界面20處分離。即使已通過從另一個晶片剝離而產生表面8(例如WO01/80308 A2中所述)也可以應用本方法去除凸緣9。最后，使用與上面參考第一實施例所描述的相同的CMP工藝對整個表面8進行拋光處理。
圖5顯示了第四實施例，該實施例在晶片邊緣使用局部拋光，以去除殘留物或凸緣。如圖5中的箭頭30和31所示，化學和/或機械部件32、33相對于表面8成一定角度，從而僅拋光凸緣9。在本實施例中使用一個或多個拋光墊32來進行化學/機械拋光，例如帶有膠質二氧化硅的聚亞安酯墊，該拋光墊相對于表面8成角度α，并在凸緣9上施加機械壓力。該拋光墊可以注入含有諸如KOH的化學成分的拋光膏33，拋光膏33在機械壓力的幫助下與殘留物或凸緣9和邊緣的材料連續(xù)進行反應。除了如箭頭30和31所示的角度之外，可以選擇針對凸緣9或界面20的所有方向進行化學/機械拋光。雖然沒有顯示，但可以預料晶片在化學/機械拋光過程中可以旋轉。
估測在晶片1’的邊緣27處與晶片1’的內部一點上的晶片厚度差異，當該差異接近或等于接近于0的預定值時，拋光處理結束。因此，可通過機械式表面光度儀(未顯示)來控制凸緣材料的去除。確切地說，當表面光度儀所確定的值顯示出凸緣9已經從表面8上去除、并導致靠近邊緣27區(qū)域的表面水平高度與表面8的其它區(qū)域相同時，結束去除處理。最后，使用與上面參考第一實施例所描述的相同的傳統(tǒng)短時間CMP工藝對整個表面8進行拋光。
圖6顯示了第五實施例，其中，通過靠近晶片1’邊緣的表面區(qū)域的選擇性化學浸蝕去除晶片表面8邊緣處的殘留物或凸緣9。凸緣9之間的表面8上的區(qū)域在光刻步驟中被保護起來，其中，把光致抗蝕劑層34沉積在包含靠近邊緣27的區(qū)域的表面8上。光刻掩膜層38用來覆蓋靠近晶片1’的邊緣27的區(qū)域中的殘留物或凸緣，光束或電子束35通過掩膜38照射在表面8上，使得只有凸緣9之間的表面區(qū)域曝露在光束或離子束35下。然后，去除掩膜38，并且光致抗蝕劑34進入下一步。通過蝕刻去除光致抗蝕劑34的非曝光區(qū)域，使得只有凸緣9的邊緣之間的表面8由硬化的光致抗蝕劑層34保護起來。
再次參考圖6，然后，通過把晶片1’曝露在諸如KOH、TMAH、NH4OH或NaOH等化學物質中來蝕刻凸緣9，這些化學物質至少與由箭頭36和37所示的凸緣9上的浸蝕點進行反應。這些化學物質與凸緣材料進行反應并將其去除。在化學浸蝕過程中，晶片1’可以旋轉。
通過蝕刻處理的持續(xù)時間和溫度來控制殘留物或凸緣9的去除，并且在蝕刻之后，還可以使用上面參考圖5所描述的機械式表面光度儀進一步控制。例如，在一定蝕刻時間后，把靠近邊緣27區(qū)域的晶片1’的厚度與晶片1’的內部24中的晶片1’的厚度進行比較，若厚度差異小于預定值，則停止蝕刻處理，并清除晶片表面的光致抗蝕劑層34。由于該表面還可通過使用與第一實施例相同的最終拋光進行進一步處理，所以保護層34可以在分離步驟中從表面8上去除，也可以與該表面上的最終拋光步驟一起去除。
圖7顯示了第六實施例，其中，使用離子和/或離子束23轟擊凸緣9。將離子和/或離子束23導入到凸緣9和表面8之間的界面20上。離子束23被調整為平行于晶片1’的表面8，并可以通過設置在靠近晶片1’的邊緣27處的具有縫隙22的屏蔽板21來聚焦。離子和/或離子束23逐片地切斷凸緣9，以將其從晶片1’上切斷。晶片1’可以以旋轉方向17所描述的方向旋轉，這可以繞晶片1’的表面8的中心的垂直軸來進行。因此，晶片可以旋轉，由聚焦在界面20上的靜止離子束23切削凸緣9。
圖8顯示了本方法的第七實施例，其中，通過在晶片1’的邊緣27進行局部離子轟擊來連續(xù)減薄，使晶片1’的靠近邊緣27的表面8的區(qū)域平面化。在該方法中，如圖8中的箭頭18所示，在本實施例中把包括氬離子的離子束以大致垂直于表面8的方向引導到殘留物或凸緣9上。除了氬離子之外，氬離子束也可用于局部離子蝕刻。諸如EPION Corporation，Billerica MA開發(fā)的氣態(tài)聚束離子束(gas cluster ion beam，GCIB)技術可用來把離子束17引導到凸緣9上，或者也可以使用傳統(tǒng)的離子束注入器。
在離子轟擊期間，如箭頭17所示，晶片1’旋轉，使得離子束18可以作用在晶片1’的整個邊緣上。通過這種方式，離子從上方轟擊凸緣9，并把凸緣連續(xù)減薄到表面8的水平高度。如參考圖5和圖6所描述的，凸緣9的磨蝕可以通過機械式輪廓曲線儀來控制，該輪廓曲線儀測量靠近邊緣27處的晶片區(qū)域與晶片1’的內部區(qū)域24之間的厚度差異。
權利要求
1.一種重復利用由于離子注入處理而在表面具有殘留物并具有剝離形貌的襯底的方法，包括把殘留物從襯底上去除到基本等于剝離形貌的水平高度，以在襯底上獲得基本均勻的平坦表面；以及拋光襯底的整個表面，以消除缺陷并制備能與另一個襯底進行分子焊接的表面。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，使用局部拋光來去除殘留物。
3.根據權利要求2所述的方法，還包括以相對于襯底表面的角度施加機械壓力。
4.根據權利要求2所述的方法，還包括使用機械式表面光度儀來控制殘留物的去除。
5.根據權利要求1所述的方法，其中，使用化學浸蝕來去除殘留物。
6.根據權利要求1所述的方法，還包括在去除殘留物之前使用保護層來覆蓋表面上的區(qū)域。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，通過光刻法形成保護層。
8.根據權利要求6所述的方法，其中，保護層是抗侵蝕材料并在化學去除殘留物之前使用。
9.根據權利要求1所述的方法，還包括使用局部離子轟擊來去除殘留物。
10.根據權利要求9所述的方法，還包括以大致垂直于襯底表面的角度導入離子束，以去除殘留物。
11.根據權利要求9所述的方法，其中，通過氬離子束提供局部離子轟擊。
12.根據權利要求1所述的方法，其中，從襯底上切斷殘留物以在襯底上獲得基本均勻的平坦表面。
13.根據權利要求12所述的方法，還包括使用激光束來切斷殘留物。
14.根據權利要求13所述的方法，其中，激光束至少聚焦在界面上。
15.根據權利要求13所述的方法，其中，把激光束調整為平行于襯底表面。
16.根據權利要求15所述的方法，還包括通過帶有縫隙的屏蔽板把激光束聚焦到殘留物上。
17.根據權利要求12所示的方法，其中，通過把水射流、空氣射流和流體射流中的至少一種對準殘留物來切斷殘留物。
18.根據權利要求17所述的方法，其中，射流以與表面成銳角的角度導向殘留物。
19.根據權利要求17所述的方法，其中，射流至少沖擊界面。
20.根據權利要求12所述的方法，還包括旋轉襯底以去除或切斷殘留物。
21.根據權利要求12所述的方法，還包括在襯底背面施加沖擊波以切斷殘留物。
22.根據權利要求12所述的方法，還包括用離子和離子束中的至少一種來轟擊殘留物以切斷殘留物。
23.根據權利要求22所述的方法，還包括使用離子或離子束在界面處轟擊殘留物。
24.根據權利要求1所述的方法，其中，逐片地去除或切斷殘留物。
25.根據權利要求1所述的方法，還包括在去除殘留物后，對襯底的整個表面進行平面化處理，使該表面處于能與另一個半導體襯底粘結的狀態(tài)。
26.根據權利要求25所述的方法，還包括在平面化處理過程中把表面減薄大約0.1～0.3μm。
27.根據權利要求1所述的方法，其中，不進行熱處理而對襯底進行平面化處理。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種用于重復利用由于注入處理而在表面具有殘留物并具有剝離形貌的襯底的方法。該方法包括從襯底上把殘留物去除到基本等于剝離形貌的水平高度，從而在襯底上獲得基本均勻的平坦表面，然后拋光襯底的整個表面以消除缺陷。
文檔編號B44C1/22GK1521814SQ20031011699
公開日2004年8月18日 申請日期2003年12月5日 優(yōu)先權日2002年12月6日
發(fā)明者法布里斯·勒泰特, 克里斯托夫·馬勒維爾, 蒂博·莫里斯, 卡洛斯·馬祖拉, 弗雷德里克·梅特拉爾, 馬祖拉, 托夫 馬勒維爾, 法布里斯 勒泰特, 莫里斯, 里克 梅特拉爾 申請人:硅絕緣體技術有限公司