技術(shù)編號：2647848
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種電平移位輸出電路，該電平移位輸出電路執(zhí)行對高擊穿電壓P型 MOSFET的導(dǎo)通/截止控制。背景技術(shù)在典型的電平移位輸出電路中，電平移位器和高擊穿電壓逆變器被用于執(zhí)行對高 擊穿電壓P型MOSFET的導(dǎo)通/截止控制。電平移位器包括第一和第二 P型MOSFET或者晶體管以及第一和第二 N型晶體管。 高擊穿電壓逆變器包括P型晶體管和N型晶體管。在電平移位器中，假定第一和第二 P型晶體管被連接至第一電源電壓。第一 N型 晶體管被連接在第二 P型晶體管的柵...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。