技術(shù)編號：2618387
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件、使用所述半導(dǎo)體器件的電路和顯示設(shè)備、及所述半導(dǎo)體器件的驅(qū)動方法，更具體地，涉及一種集成了具有SOI(絕緣體上硅)結(jié)構(gòu)的MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管(如多晶硅TFT(薄膜晶體管))的半導(dǎo)體器件、使用所述半導(dǎo)體器件的電路和顯示設(shè)備、及所述半導(dǎo)體器件的驅(qū)動方法。背景技術(shù)形成在絕緣襯底上的多晶硅TFT曾經(jīng)需要昂貴的石英襯底，以便進(jìn)行高溫處理，并且已經(jīng)被應(yīng)用于小型、高附加值的顯示板。之后，開發(fā)了一種通過如低壓(LP)CVD、等離子體(P...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。