技術(shù)編號(hào)：2601008
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種可提高PDP(等離子體顯示板)氣體放電效率的低功函數(shù)材料，屬于顯示器件材料制造的。背景技術(shù) 在等離子體顯示板(PDP)中介質(zhì)障壁放電效率由許多因素決定，其中放電單元中的電場(chǎng)強(qiáng)度、放電單元的大小、放電單元中的氣壓、氣體成分和配比，以及介質(zhì)層是最為重要的因素[1]。對(duì)介質(zhì)層的改善一直集中在提高涂覆于介質(zhì)層上的MgO保護(hù)層的二次電子發(fā)射系數(shù)和光輻射方面。介質(zhì)層的功函數(shù)至今還未獲得重視。炭納米管(CNT)被報(bào)導(dǎo)可改善PDP的著火和維持電壓[2]。炭納...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。