技術(shù)編號(hào)：2546080
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種有源矩陣基板的制造方法，在像素區(qū)域形成柵極配線，并且在邊框區(qū)域(17)形成多個(gè)配線層(26、27)。接著，形成覆蓋配線層(26、27)和柵極配線的柵極絕緣層(32)和半導(dǎo)體材料層(35)。接著，形成在像素區(qū)域覆蓋半導(dǎo)體材料層(35)的第1抗蝕劑和分別覆蓋配線層(26、27)之間的柵極絕緣層(32)的第2抗蝕劑(42)。接著，對(duì)從第1和第2抗蝕劑(42)露出的半導(dǎo)體材料層(35)進(jìn)行干式蝕刻，由此形成半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體層。專利說明 [0001]本發(fā)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。