有源矩陣基板的制造方法和顯示裝置的制造方法
【專利摘要】一種有源矩陣基板的制造方法，在像素區(qū)域形成柵極配線，并且在邊框區(qū)域(17)形成多個配線層(26、27)。接著，形成覆蓋配線層(26、27)和柵極配線的柵極絕緣層(32)和半導(dǎo)體材料層(35)。接著，形成在像素區(qū)域覆蓋半導(dǎo)體材料層(35)的第1抗蝕劑和分別覆蓋配線層(26、27)之間的柵極絕緣層(32)的第2抗蝕劑(42)。接著，對從第1和第2抗蝕劑(42)露出的半導(dǎo)體材料層(35)進(jìn)行干式蝕刻，由此形成半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體層。
【專利說明】有源矩陣基板的制造方法和顯示裝置的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有源矩陣基板的制造方法和顯示裝置的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]近年來，液晶顯示裝置等薄型的顯示裝置(平板顯示器)被廣泛用作例如智能手機(jī)、平板型PC等電子設(shè)備的顯示裝置。
[0003]這樣的顯示裝置具有作為有源矩陣基板的第I基板和與第I基板相對的第2基板。例如，在液晶顯示裝置中，在第I基板與第2基板之間設(shè)有液晶層。另外，在有機(jī)EL顯示裝置中，在第I基板與第2基板之間設(shè)有發(fā)光層。
[0004]并且，上述顯示裝置具有:沿著第I基板和第2基板的外緣的作為非顯示區(qū)域的邊框區(qū)域；以及形成于該邊框區(qū)域的內(nèi)側(cè)的像素區(qū)域。在像素區(qū)域形成有設(shè)有半導(dǎo)體元件的多個像素。在第I基板中的邊框區(qū)域相互并行地配置有從像素區(qū)域引出的多個配線層。
[0005]邊框區(qū)域的配線層為長條，所以容易帶比較大的電荷量。因此，在配線層彼此之間發(fā)生靜電放電(Electro-Static Discharge ；ESD),由此有覆蓋該配線層的絕緣層發(fā)生絕緣破壞的問題。
[0006]對此，專利文獻(xiàn)I所記載的有源矩陣基板在邊框區(qū)域中具有:形成于絕緣性基板的表面的包含金屬的多個遮光層；覆蓋遮光層的柵極絕緣層；形成于柵極絕緣層的整個表面的半導(dǎo)體層；以覆蓋相鄰的上述遮光層之間的方式形成于半導(dǎo)體層的表面的多個配線層；以及覆蓋配線層的保護(hù)絕緣層。上述半導(dǎo)體層在與構(gòu)成像素區(qū)域的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體層相同的工序中形成。
[0007]根據(jù)該構(gòu)成，因為形成有以遮光層為柵極、以配線層為源極漏極的晶體管，所以帶電的配線層彼此的電位差變高時，電荷可通過半導(dǎo)體層從一方配線層向另一方配線層移動。因此，可抑制由于ESD導(dǎo)致的保護(hù)絕緣層的絕緣破壞。
[0008]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)_9] 專利文獻(xiàn)
[0010]專利文獻(xiàn)1:特開平一 225394號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]發(fā)明要解決的問題
[0012]然而，與配線層配置于柵極絕緣層上的上述專利文獻(xiàn)I的構(gòu)成相反，在配線層被柵極絕緣層覆蓋的情況下，有可能在對形成于柵極絕緣層的表面的半導(dǎo)體層進(jìn)行干式蝕刻時柵極絕緣層由于ESD而發(fā)生絕緣破壞。
[0013]但是，在這樣的情況下，因為配線層不像上述專利文獻(xiàn)I那樣構(gòu)成晶體管，所以有不能防止由于ESD導(dǎo)致的柵極絕緣層的絕緣破壞的問題。
[0014]本發(fā)明是鑒于這樣的方面完成的，其目的在于:在制造在邊框區(qū)域中配線層被柵極絕緣層覆蓋的有源矩陣基板的情況下，能防止由于配線層彼此的靜電放電而導(dǎo)致的柵極絕緣層的絕緣破壞。
[0015]用于解決問題的方案
[0016]為了達(dá)成上述的目的，第I發(fā)明的有源矩陣基板的制造方法具有:在形成多個半導(dǎo)體元件的像素區(qū)域形成柵極配線，并且在作為上述像素區(qū)域的外側(cè)周圍的區(qū)域的邊框區(qū)域形成包含與上述柵極配線相同的材料且相互并行地延伸的多個配線層的工序；在上述邊框區(qū)域和像素區(qū)域形成覆蓋上述配線層和柵極配線的柵極絕緣層的工序；在上述邊框區(qū)域和像素區(qū)域中的上述柵極絕緣層的表面形成半導(dǎo)體材料層的工序；形成第I抗蝕劑和第2抗蝕劑的工序，上述第I抗蝕劑在上述像素區(qū)域中覆蓋上述半導(dǎo)體材料層，上述第2抗蝕劑分別覆蓋設(shè)于相互相鄰的上述配線層之間的上述柵極絕緣層；以及對從上述第I抗蝕劑和第2抗蝕劑露出的上述半導(dǎo)體材料層進(jìn)行干式蝕刻，由此形成構(gòu)成上述半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體層的工序。
[0017]根據(jù)本發(fā)明，因為在對半導(dǎo)體材料層進(jìn)行干式蝕刻的工序中，設(shè)于相鄰的配線層之間的柵極絕緣層被第2抗蝕劑覆蓋，所以在該配線層彼此之間不發(fā)生靜電放電。因此，能防止覆蓋配線層的柵極絕緣層的絕緣破壞。
[0018]第2發(fā)明的特征在于，在上述第I發(fā)明中，還具有在對上述半導(dǎo)體材料層進(jìn)行干式蝕刻的工序后進(jìn)行的、形成分別覆蓋設(shè)于相互相鄰的上述配線層之間的柵極絕緣層的遮光層的工序。
[0019]根據(jù)本發(fā)明，因為配線層之間被遮光層遮光，所以能防止邊框區(qū)域中的漏光。而且，因為配線層之間的柵極絕緣層不發(fā)生絕緣破壞，所以能防止隔著遮光層的配線層彼此的短路。
[0020]第3發(fā)明的特征在于，在上述第2發(fā)明中，在形成上述遮光層的工序中，利用與構(gòu)成上述半導(dǎo)體元件的源極電極相同的材料形成上述遮光層。
[0021]根據(jù)本發(fā)明，因為能在與源極電極相同的工序中形成遮光層，所以能避免由于設(shè)置遮光層導(dǎo)致的工序數(shù)量的增加。
[0022]第4發(fā)明以通過使有源矩陣基板和相對基板貼合而制造顯示裝置的方法為對象。并且，制造上述有源矩陣基板的工序包含:在形成多個半導(dǎo)體元件的像素區(qū)域形成柵極配線，并且在作為上述像素區(qū)域的外側(cè)周圍的區(qū)域的邊框區(qū)域形成包含與上述柵極配線相同的材料且相互并行地延伸的多個配線層的工序；在上述邊框區(qū)域和像素區(qū)域形成覆蓋上述配線層和柵極配線的柵極絕緣層的工序；在上述邊框區(qū)域和像素區(qū)域中的上述柵極絕緣層的表面形成半導(dǎo)體材料層的工序；形成第I抗蝕劑和第2抗蝕劑的工序，上述第I抗蝕劑在上述像素區(qū)域中覆蓋上述半導(dǎo)體材料層，上述第2抗蝕劑分別覆蓋設(shè)于相互相鄰的上述配線層之間的上述柵極絕緣層；以及對從上述第I抗蝕劑和第2抗蝕劑露出的上述半導(dǎo)體材料層進(jìn)行干式蝕刻，由此形成構(gòu)成上述半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體層的工序。
[0023]根據(jù)本發(fā)明，因為在對半導(dǎo)體材料層進(jìn)行干式蝕刻的工序中，設(shè)于相鄰的配線層之間的柵極絕緣層被第2抗蝕劑覆蓋，所以在該配線層彼此之間不發(fā)生靜電放電。因此，能防止覆蓋配線層的柵極絕緣層的絕緣破壞。
[0024]第5發(fā)明的特征在于，在上述第4發(fā)明中，還具有在對上述半導(dǎo)體材料層進(jìn)行干式蝕刻的工序后進(jìn)行的、形成分別覆蓋設(shè)于相互相鄰的上述配線層之間的柵極絕緣層的遮光層的工序。
[0025]根據(jù)本發(fā)明，因為配線層之間被遮光層遮光，所以能防止邊框區(qū)域中的漏光。而且，因為配線層之間的柵極絕緣層不發(fā)生絕緣破壞，所以能防止隔著遮光層的配線層彼此的短路。
[0026]第6發(fā)明的特征在于，在上述第5發(fā)明中，在形成上述遮光層的工序中，利用與構(gòu)成上述半導(dǎo)體元件的源極電極相同的材料形成上述遮光層。
[0027]根據(jù)本發(fā)明，因為能在與源極電極相同的工序中形成遮光層，所以能避免由于設(shè)置遮光層導(dǎo)致的工序數(shù)量的增加。
[0028]發(fā)明效果
[0029]根據(jù)本發(fā)明，因為在對半導(dǎo)體材料層進(jìn)行干式蝕刻的工序中，利用第2抗蝕劑覆蓋設(shè)于相鄰的配線層之間的柵極絕緣層，由此使得在配線層彼此之間不發(fā)生靜電放電，所以能防止覆蓋配線層的柵極絕緣層的絕緣破壞。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1是放大示出TFT基板的邊框區(qū)域的俯視圖。
[0031]圖2是圖1中的II — II線截面圖。
[0032]圖3是放大示出形成于像素區(qū)域的像素的TFT的俯視圖。
[0033]圖4是圖3中的IV — IV線截面圖。
[0034]圖5是示出液晶顯示裝置的概略構(gòu)成的截面圖。
[0035]圖6是放大示出TFT基板的一部分的俯視圖。
[0036]圖7是示出形成于玻璃基板的配線層的截面圖。
[0037]圖8是示出形成于半導(dǎo)體材料層的表面的第2抗蝕劑的截面圖。
[0038]圖9是示出利用干式蝕刻所形成的第2半導(dǎo)體層的截面圖。
[0039]圖10是示出形成于源極材料層的表面的第4抗蝕劑的截面圖。
[0040]圖11是示出形成于玻璃基板的柵極配線的截面圖。
[0041]圖12是示出形成于半導(dǎo)體材料層的表面的第I抗蝕劑的截面圖。
[0042]圖13是示出利用干式蝕刻所形成的第I半導(dǎo)體層的截面圖。
[0043]圖14是示出形成于源極材料層的表面的第3抗蝕劑的截面圖。

【具體實施方式】
[0044]以下基于【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明的實施方式。此外，本發(fā)明并不限于以下的實施方式。
[0045]在本實施方式中，作為本發(fā)明的顯示裝置的一例，對液晶顯示裝置I進(jìn)行說明。圖5是示出液晶顯示裝置I的概略構(gòu)成的截面圖。圖6是放大示出TFT基板的一部分的俯視圖。
[0046]如圖5所示，液晶顯示裝置I具備:作為第I基板的TFT基板11 ;作為第2基板的相對基板12，其與TFT基板11相對地配置；以及液晶層13，其設(shè)于相對基板12和TFT基板11之間。液晶層13利用框狀的密封構(gòu)件14密封在TFT基板11與相對基板12之間。
[0047]如圖5所示，液晶顯示裝置I具有:像素區(qū)域16，其是顯示區(qū)域，形成有多個像素；以及邊框區(qū)域17，其是非顯示區(qū)域，且是像素區(qū)域16的外側(cè)周圍的區(qū)域。
[0048]雖然省略圖示，但是相對基板12具有:作為絕緣性基板的玻璃基板；以及形成于玻璃基板的液晶層13側(cè)的彩色濾光片、共用電極以及黑矩陣。共用電極包含例如ITO等透明導(dǎo)電膜，遍及像素區(qū)域16的整體而形成。
[0049]在此，圖1是放大示出TFT基板11的邊框區(qū)域17的俯視圖。圖2是圖1中的II —II線截面圖。圖3是放大示出形成于像素區(qū)域16的像素的TFT20的俯視圖。圖4是圖3中的IV — IV線截面圖。
[0050]<像素區(qū)域的構(gòu)成>
[0051]TFT基板11是有源矩陣基板，如圖3和圖4所示，在其像素區(qū)域16，作為半導(dǎo)體元件的多個TFT (薄膜晶體管)20和連接到TFT20的柵極配線21和源極配線22形成于作為絕緣性基板的玻璃基板31上。
[0052]S卩，柵極配線21在玻璃基板31的表面形成有多條。而且，在玻璃基板31中形成有覆蓋柵極配線21的柵極絕緣層32。在柵極絕緣層32的表面形成有多條源極配線22，源極配線22與柵極配線21交叉地延伸。柵極配線21和源極配線22在整體上形成為格子狀的配線圖案。
[0053]另外，在柵極絕緣層32的表面，在與柵極配線21重疊的區(qū)域形成有多個島狀的第I半導(dǎo)體層25。如圖4所示，第I半導(dǎo)體層25具有:形成于柵極絕緣層32的表面的i層(改性半導(dǎo)體層)25a ；以及層疊于i層25a的n+層25b。
[0054]在柵極絕緣層32上形成有源極電極23和漏極電極24。源極電極23和漏極電極24與上述第I半導(dǎo)體層25 —起構(gòu)成TFT20。第I半導(dǎo)體層25的n+層25b僅形成于與源極電極23或者漏極電極24重疊的區(qū)域。即，i層25a從源極電極23和漏極電極24露出。
[0055]源極電極23在與柵極配線21重疊的區(qū)域從源極電極23分支地形成。源極電極23的頂端形成為分叉狀，其至少一部分與第I半導(dǎo)體層25重疊。另一方面，漏極電極24的一端與第I半導(dǎo)體層25重疊，并且配置于源極電極23的2個頂端之間。
[0056]在漏極電極24的另一端側(cè)連接著省略圖示的像素電極。像素電極由例如ITO等透明導(dǎo)電膜形成。
[0057]<邊框區(qū)域的構(gòu)成>
[0058]如圖2所示，在TFT基板11的邊框區(qū)域17形成有相互并行地延伸的多個配線層26、27。配線層26、27利用與柵極配線21相同的材料形成。配線層26、27具有柵極引出配線26和共用配線27。
[0059]柵極引出配線26是從像素區(qū)域16引出的配線，連接到柵極配線21。共用配線27是用于對相對基板12的共用電極施加規(guī)定電壓的配線。
[0060]柵極引出配線26和共用配線27形成于玻璃基板31的表面，并且被柵極絕緣層32覆蓋。在柵極絕緣層32的表面形成有第2半導(dǎo)體層28，第2半導(dǎo)體層28分別覆蓋相鄰的配線層26、27之間的配線間區(qū)域30。
[0061]第2半導(dǎo)體層28包含與上述第I半導(dǎo)體層25相同的材料。S卩，第2半導(dǎo)體層28具有:形成于柵極絕緣層32的表面的i層28a ;以及層疊于i層28a的η.層28b。
[0062]在第2半導(dǎo)體層28的表面形成有遮光層29。遮光層29利用與源極電極23相同的材料形成。遮光層29具有與第2半導(dǎo)體層28大致相同的形狀，并且形成于與第2半導(dǎo)體層28相同的區(qū)域。即，遮光層29也與第2半導(dǎo)體層28相同，分別覆蓋配線間區(qū)域30。
[0063]如圖1和圖2所示，在相鄰的遮光層29之間(即，相鄰的第2半導(dǎo)體層28之間)，在配線層26、27的上方位置設(shè)有規(guī)定的間隙。另外，配線層26、27的寬度方向兩側(cè)部分與遮光層29以及第2半導(dǎo)體層28重疊。
[0064]—制造方法一
[0065]液晶顯示裝置I是通過使TFT基板11和相對基板12貼合而制造的。即，在預(yù)先制造的TFT基板11或者相對基板12中形成框狀的密封構(gòu)件14后，在該密封構(gòu)件14的框內(nèi)滴下供應(yīng)液晶材料。密封構(gòu)件14應(yīng)用利用熱和紫外線而固化的樹脂。接著，使TFT基板11和相對基板12隔著上述密封構(gòu)件14和液晶材料貼合。然后，使密封構(gòu)件14固化。由此制造液晶顯示裝置I。
[0066]接著，參照圖7?圖14對制造TFT基板11的方法進(jìn)行說明。
[0067]在此，圖7是示出形成于玻璃基板31的配線層26、27的截面圖。圖8是示出形成于半導(dǎo)體材料層35的表面的第2抗蝕劑42的截面圖圖9是示出利用干式蝕刻所形成的第2半導(dǎo)體層28的截面圖。圖10是示出形成于源極材料層37的表面的第4抗蝕劑44的截面圖。
[0068]另外，圖11是示出形成于玻璃基板31的柵極配線21的截面圖。圖12是示出形成于半導(dǎo)體材料層35的表面的第I抗蝕劑41的截面圖。圖13是示出利用干式蝕刻所形成的第I半導(dǎo)體層25的截面圖。圖14是示出形成于源極材料層37的表面的第3抗蝕劑43的截面圖。
[0069]首先，在使金屬材料層(省略圖不)沉積于玻璃基板31的整個表面后,對該金屬材料層進(jìn)行光刻和蝕刻，由此如圖11所示，在像素區(qū)域16形成柵極配線21，并且如圖7所示，在邊框區(qū)域17形成多個配線層26、27。S卩，配線層26、27利用與柵極配線21相同的材料形成。
[0070]柵極配線21以相互并行地延伸的方式在像素區(qū)域16中形成。另一方面，作為邊框區(qū)域17的配線層26、27，形成相互平行地延伸的多個柵極引出配線26和與柵極引出配線26并行地延伸的共用配線27。
[0071]接著，如圖8和圖12所示，在邊框區(qū)域17和像素區(qū)域16的整體上形成覆蓋配線層26、27和柵極配線21的柵極絕緣層32。由此，配線層26、27和柵極配線21在玻璃基板31上被柵極絕緣層32直接覆蓋。
[0072]接著，如圖8和圖12所示，在邊框區(qū)域17和像素區(qū)域16中的柵極絕緣層32的表面形成半導(dǎo)體材料層35。S卩，遍及邊框區(qū)域17和像素區(qū)域16的整體在柵極絕緣層32的表面形成i層35a。然后，遍及邊框區(qū)域17和像素區(qū)域16的整體在i層35a的表面形成n+層35b。由此，形成包含i層35a和η.層35b的上述半導(dǎo)體材料層35。
[0073]接著，遍及邊框區(qū)域17和像素區(qū)域16的整體在半導(dǎo)體材料層35的表面形成抗蝕劑材料層(省略圖示)。然后，利用光刻等，從上述抗蝕劑材料層形成作為掩模的第I抗蝕劑41和第2抗蝕劑42。
[0074]S卩，如圖12所示，在像素區(qū)域16中，且在像素區(qū)域16中的形成有TFT20的第I半導(dǎo)體層25的區(qū)域形成覆蓋半導(dǎo)體材料層35的第I抗蝕劑41。另一方面，如圖8所示，在邊框區(qū)域17形成第2抗蝕劑，第2抗蝕劑分別覆蓋設(shè)于相互相鄰的配線層26、27之間的柵極絕緣層32。此時，以覆蓋配線層26、27彼此之間的配線間區(qū)域30和該配線間區(qū)域30的兩側(cè)的配線層26、27的一部分的方式形成第2抗蝕劑42。
[0075]接著，對從第I抗蝕劑41和第2抗蝕劑42露出的半導(dǎo)體材料層35進(jìn)行干式蝕刻(反應(yīng)離子蝕刻)。由此，如圖13所示，在像素區(qū)域16形成構(gòu)成TFT20的第I半導(dǎo)體層25，另一方面，如圖9所示，在邊框區(qū)域17形成分別覆蓋配線間區(qū)域30的第2半導(dǎo)體層28。
[0076]接著，形成分別覆蓋設(shè)于相互相鄰的配線層26、27之間的柵極絕緣層32的遮光層29。另外，利用與形成遮光層29的工序相同的工序形成源極配線22、源極電極23以及漏極電極24。由此，利用與源極配線22、源極電極23以及漏極電極24相同的材料形成遮光層29。
[0077]S卩，在除去第I抗蝕劑41和第2抗蝕劑42后，將覆蓋第I半導(dǎo)體層25和第2半導(dǎo)體層28的源極材料層37遍及邊框區(qū)域17和像素區(qū)域16的整體形成于柵極絕緣層32上。源極材料層37包含金屬材料。
[0078]接著，遍及邊框區(qū)域17和像素區(qū)域16的整體在源極材料層37的表面形成抗蝕劑材料層(省略圖示)。然后，利用光刻等從上述抗蝕劑材料層形成作為掩模的第3抗蝕劑43和第4抗蝕劑44。
[0079]S卩，如圖14所示，在像素區(qū)域16形成第3抗蝕劑43，第3抗蝕劑43覆蓋形成有源極配線22和源極電極23的區(qū)域或者形成有漏極電極24的區(qū)域。另一方面，如圖10所示，在邊框區(qū)域17形成覆蓋第2半導(dǎo)體層28的第4抗蝕劑44。第4抗蝕劑44與第2半導(dǎo)體層28同樣，以分別覆蓋配線間區(qū)域30的方式形成。
[0080]此外，形成第4抗蝕劑44的區(qū)域可以是與第2半導(dǎo)體層28的形成區(qū)域相同的區(qū)域，但是也可以設(shè)為比第2半導(dǎo)體層28的形成區(qū)域稍小的區(qū)域。由此，即使第4抗蝕劑44的位置略微偏移，也能使得第4抗蝕劑44不從第2半導(dǎo)體層28的形成區(qū)域突出。
[0081]接著，對從第3抗蝕劑43和第4抗蝕劑44露出的源極材料層37進(jìn)行蝕刻。由此，如圖3和圖4所示，在像素區(qū)域16形成源極配線22、源極電極23以及漏極電極24，另一方面，如圖2所示，在邊框區(qū)域17形成遮光層29。
[0082]然后，雖然省略圖示，但是將覆蓋遮光層29和源極配線22等的層間絕緣膜形成于像素區(qū)域16和邊框區(qū)域17，在像素區(qū)域16中的上述層間絕緣膜的表面形成與漏極電極24導(dǎo)通的像素電極。由此制造TFT基板11。
[0083]一實施方式的效果一
[0084]因此，根據(jù)本實施方式，如圖8和圖9所示，在對半導(dǎo)體材料層35進(jìn)行干式蝕刻的工序中，利用第2抗蝕劑42覆蓋在邊框區(qū)域17中設(shè)于相鄰的配線層26、27之間的配線間區(qū)域30的柵極絕緣層32，所以能使得在該配線層26、27彼此之間不發(fā)生靜電放電。因此，能防止在配線間區(qū)域30中覆蓋配線層26、27的柵極絕緣層32的絕緣破壞。
[0085]這樣，因為在柵極絕緣層32不發(fā)生絕緣破壞，所以不僅能利用形成于該柵極絕緣層32的表面的遮光層29防止邊框區(qū)域17中的漏光，而且能防止隔著該遮光層29的配線層26、27彼此的短路。
[0086]而且，因為能在與源極電極23相同的工序中形成遮光層29，所以能避免由于設(shè)置遮光層29導(dǎo)致的工序數(shù)量的增加。
[0087]而且，設(shè)為遮光層29在配線間區(qū)域30中分別覆蓋柵極絕緣層32的構(gòu)成，所以能減少在遮光層29與配線層26、27之間產(chǎn)生的寄生電容。
[0088](其他的實施方式)
[0089]在上述的實施方式中，如圖8所示，說明了在對半導(dǎo)體材料層35進(jìn)行干式蝕刻時，在第2抗蝕劑42與柵極絕緣層32之間直接夾著半導(dǎo)體材料層35的例子，但是本發(fā)明不限于此，只要以覆蓋配線間區(qū)域30的柵極絕緣層32的方式形成第2抗蝕劑42即可。
[0090]另外，在上述的實施方式中，舉例說明了液晶顯示裝置，但是本發(fā)明不限于此，除此之外，對于例如在TFT基板11與相對基板12之間夾著發(fā)光層的有機(jī)EL顯示裝置、在相對基板12中設(shè)有觸摸面板層的顯示裝置等其他的顯示裝置也同樣能應(yīng)用。
[0091]另外，形成于像素區(qū)域16的半導(dǎo)體元件不限于TFT，也可以是例如TFD等其他的半導(dǎo)體元件。
[0092]工業(yè)h的可利用件
[0093]如上所述，本發(fā)明對于有源矩陣基板的制造方法和顯示裝置的制造方法是有用的。
[0094]附圖標(biāo)記說明
[0095]I 液晶顯示裝置
[0096]11 TFT基板(有源矩陣基板)
[0097]12相對基板
[0098]16 像素區(qū)域
[0099]17邊框區(qū)域
[0100]20 TFT (半導(dǎo)體元件)
[0101]21柵極配線
[0102]23源極電極
[0103]25第I半導(dǎo)體層
[0104]26柵極引出配線(配線層)
[0105]27共用配線(配線層)
[0106]29遮光層
[0107]30配線間區(qū)域
[0108]32柵極絕緣層
[0109]35半導(dǎo)體材料層
[0110]41第I抗蝕劑
[0111]42第2抗蝕劑
【權(quán)利要求】
1.一種有源矩陣基板的制造方法，其特征在于，具有: 在形成多個半導(dǎo)體元件的像素區(qū)域形成柵極配線，并且在作為上述像素區(qū)域的外側(cè)周圍的區(qū)域的邊框區(qū)域形成包含與上述柵極配線相同的材料且相互并行地延伸的多個配線層的工序； 在上述邊框區(qū)域和像素區(qū)域形成覆蓋上述配線層和柵極配線的柵極絕緣層的工序； 在上述邊框區(qū)域和像素區(qū)域中的上述柵極絕緣層的表面形成半導(dǎo)體材料層的工序； 形成第I抗蝕劑和第2抗蝕劑的工序，上述第I抗蝕劑在上述像素區(qū)域中覆蓋上述半導(dǎo)體材料層，上述第2抗蝕劑分別覆蓋設(shè)于相互相鄰的上述配線層之間的上述柵極絕緣層；以及 對從上述第I抗蝕劑和第2抗蝕劑露出的上述半導(dǎo)體材料層進(jìn)行干式蝕刻，由此形成構(gòu)成上述半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體層的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板的制造方法，其特征在于， 還具有在對上述半導(dǎo)體材料層進(jìn)行干式蝕刻的工序后進(jìn)行的、形成分別覆蓋設(shè)于相互相鄰的上述配線層之間的柵極絕緣層的遮光層的工序。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有源矩陣基板的制造方法，其特征在于， 在形成上述遮光層的工序中，利用與構(gòu)成上述半導(dǎo)體元件的源極電極相同的材料形成上述遮光層。
4.一種顯示裝置的制造方法，通過使有源矩陣基板和相對基板貼合而制造顯示裝置，上述制造方法的特征在于， 制造上述有源矩陣基板的工序包含: 在形成多個半導(dǎo)體元件的像素區(qū)域形成柵極配線，并且在作為上述像素區(qū)域的外側(cè)周圍的區(qū)域的邊框區(qū)域形成包含與上述柵極配線相同的材料且相互并行地延伸的多個配線層的工序； 在上述邊框區(qū)域和像素區(qū)域形成覆蓋上述配線層和柵極配線的柵極絕緣層的工序； 在上述邊框區(qū)域和像素區(qū)域中的上述柵極絕緣層的表面形成半導(dǎo)體材料層的工序； 形成第I抗蝕劑和第2抗蝕劑的工序，上述第I抗蝕劑在上述像素區(qū)域中覆蓋上述半導(dǎo)體材料層，上述第2抗蝕劑分別覆蓋設(shè)于相互相鄰的上述配線層之間的上述柵極絕緣層；以及 對從上述第I抗蝕劑和第2抗蝕劑露出的上述半導(dǎo)體材料層進(jìn)行干式蝕刻，由此形成構(gòu)成上述半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體層的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于， 還具有在對上述半導(dǎo)體材料層進(jìn)行干式蝕刻的工序后進(jìn)行的、形成分別覆蓋設(shè)于相互相鄰的上述配線層之間的柵極絕緣層的遮光層的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于， 在形成上述遮光層的工序中，利用與構(gòu)成上述半導(dǎo)體元件的源極電極相同的材料形成上述遮光層。
【文檔編號】G09F9/30GK104303221SQ201380025264
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2013年6月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月22日
【發(fā)明者】井上毅 申請人:夏普株式會社