技術(shù)編號：2511993
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及光盤及Cu合金記錄層用濺射靶，特別涉及使用含有 ZnS的保護(hù)層(例如ZnS-Si02)時可以得到不產(chǎn)生記錄比特誤差的光 記錄介質(zhì)的光盤及Cu合金記錄層用濺射耙。背景技術(shù)近年來，開發(fā)了無需磁頭而可以記錄、再生的高密度記錄光盤技 術(shù)，迅速地引起關(guān)注。該光盤可以分為只讀型、 一次寫入型和可擦寫 型三種，特別是一次寫入型光盤(Write-once記録)要求高速記錄和大容 量寫入。這樣的光盤，通過激光照射使襯底上的記錄薄膜加熱升溫，引起 該記錄薄膜的結(jié)構(gòu)變...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。