專利名稱：光盤及Cu合金記錄層用濺射靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光盤及Cu合金記錄層用濺射靶，特別涉及使用含有 ZnS的保護(hù)層(例如ZnS-Si02)時(shí)可以得到不產(chǎn)生記錄比特誤差的光 記錄介質(zhì)的光盤及Cu合金記錄層用濺射耙。
背景技術(shù)：
近年來，開發(fā)了無需磁頭而可以記錄、再生的高密度記錄光盤技 術(shù)，迅速地引起關(guān)注。該光盤可以分為只讀型、 一次寫入型和可擦寫 型三種，特別是一次寫入型光盤(Write-once記録)要求高速記錄和大容 量寫入。這樣的光盤，通過激光照射使襯底上的記錄薄膜加熱升溫，引起 該記錄薄膜的結(jié)構(gòu)變化，而進(jìn)行信息記錄。信息再生時(shí)，通過檢測(cè)因 光學(xué)常數(shù)的變化引起的反射率的變化進(jìn)行信息的再生。上述的相變化通過照射直徑縮減至約1^im至約數(shù)pm的激光進(jìn)行。 此時(shí)，例如l(im的激光束以10m/s的線速度通過時(shí)，光在光盤某點(diǎn)上 照射的時(shí)間為100ns，需要在此時(shí)間內(nèi)進(jìn)行上述結(jié)晶學(xué)變化及反射率的 檢測(cè)。另外，在實(shí)現(xiàn)上述結(jié)晶學(xué)變化方面，正在尋求適合的光記錄介質(zhì)。一般而言，光盤具有記錄層由保護(hù)層夾住的結(jié)構(gòu)或者記錄層的單 面由保護(hù)層覆蓋的結(jié)構(gòu)。另外，提出了使用Cu/Si作為下一代光盤的記 錄層(參照非專利文獻(xiàn)l)。向該Cu記錄層照射激光使Cu與Si反應(yīng)， 以使得Cu/Si間的組織中產(chǎn)生結(jié)晶結(jié)構(gòu)變化，從而進(jìn)行記錄。僅僅是一次寫入，不能續(xù)寫入或擦寫。對(duì)該非專利文獻(xiàn)1中記載的光盤結(jié)構(gòu)進(jìn)行簡單說明。該光盤涉及 使用藍(lán)光的雙重結(jié)構(gòu)的無機(jī)材料類一次寫入型光盤，與Si層鄰接設(shè)置 了CU合金層，成為通過保護(hù)層夾住該記錄介質(zhì)的三明治結(jié)構(gòu)。另外， 該三明治結(jié)構(gòu)通過襯墊層形成雙重結(jié)構(gòu)，另外通過反射層設(shè)置在PC(聚 碳酸酯)襯底上。表層上設(shè)置覆蓋層。該例中，例示了Cu合金的記錄層，但是對(duì)于合金成分沒有特別說 明。另外，銅或銅合金的記錄層仍然處于初期階段，有利的方面還未充分了解。作為保護(hù)層，多數(shù)情況下使用含有ZnS的材料(例如 ZnS-Si02)。另外，以下作為一例，對(duì)使用該ZnS-Si02作為保護(hù)膜的情況進(jìn)行說明。已知在銅制的記錄層與該ZnS-Si02保護(hù)層之間會(huì)產(chǎn)生極大的問 題。該問題是存在于保護(hù)層中的S向Cu擴(kuò)散，并且腐蝕Cu而形成不 透明的CuS，從而產(chǎn)生記錄層變質(zhì)、錯(cuò)誤讀取記錄信息的問題。為了防止從保護(hù)層的擴(kuò)散，也可以考慮在記錄層與該ZnS-Si02保 護(hù)層之間形成擴(kuò)散防止用的透明阻隔層。但是，該阻隔層的形成本身 會(huì)造成制造成本增加，因此不優(yōu)選。因此，認(rèn)為Cu記錄層本身能夠防 止硫化的方案是最好的。但是，即使為了防止Cu的硫化而制成Cu合金時(shí)，關(guān)于什么樣的 添加成分最適合也完全不清楚。如后所述，在Cu中添加合金元素，有 時(shí)反而會(huì)促進(jìn)作為記錄層的Cu的硫化，因此有時(shí)不適合。一般而言，對(duì)僅僅防止Cu的硫化的合金進(jìn)行了研究，但是現(xiàn)狀是: 當(dāng)采用記錄層由ZnS-Si02保護(hù)層夾持的層壓結(jié)構(gòu)作為光盤使用時(shí)，硫 化的原因未必清楚，也得不到是否最適合作為記錄層的見解。非專利文獻(xiàn)1: Hiroyasu Inoue及另夕卜四人著"Dual-Layer Inorganic Write-Once Disc based on Blu-ray Disc Format", International Symposium on Optical memory, 2003， 11/3-7，全期，Technical Digest P.50發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明涉及光盤及Cu合金記錄層用濺射靶，具體而言，本發(fā)明提 供特別是在使用含有ZnS的保護(hù)層(例如ZnS-Si02)的情況下，可以 防止或者抑制S從保護(hù)層擴(kuò)散而造成的Cu記錄層的硫化，可以得到不 產(chǎn)生記錄比特誤差的光記錄介質(zhì)的光盤及Cu合金記錄層用濺射耙。為了解決上述問題，本發(fā)明人進(jìn)行了廣泛深入的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)， 通過向Cu中添加可以適合作為記錄層的合金成分可以抑制S自保護(hù)層 的擴(kuò)散所造成的影響。本發(fā)明基于該發(fā)現(xiàn)，提供一種記錄層與含有ZnS的保護(hù)層鄰接結(jié) 構(gòu)的光盤，其中，該記錄層使用Cu合金記錄層，所述Cu合金記錄層 以總量計(jì)含有1至20原子％選自Zn、 Mn、 Ga、 Ti和Ta中的一種以上 成分，余量為Cu及不可避免的雜質(zhì)。由此，可以有效防止S從含有ZnS的保護(hù)層(例如ZnS-Si02)擴(kuò) 散而造成的損害，即可以有效防止由于Cu的硫化而形成不透明的CuS、 Cu2S。另外，本發(fā)明的光盤，在Cu合金記錄層中存在的由Mg、 Na、 Ca、 Ba、 Ce、 Li或Zr構(gòu)成的雜質(zhì)各自為0.1原子。/。以下。該雜質(zhì)以超過o.l 原子％的量存在時(shí)，難以抑制S從含有ZnS的保護(hù)層擴(kuò)散而造成的損 害，結(jié)果反而促進(jìn)Cu的硫化，因此優(yōu)選盡量減少這些雜質(zhì)。另外，本發(fā)明通過濺射形成Cu合金記錄層，Cu合金記錄層用濺射靶本身為銅合金，所述銅合金以總量計(jì)含有1至20原子％選自Zn、 Mn、 Ga、 Ti和Ta中的一種以上成分，余量為Cu及不可避免的雜質(zhì)。 另外，在該Cu合金記錄層用濺射靶中，優(yōu)選Cu合金中存在的由Mg、 Na、 Ca、 Ba、 Ce、 Li或Zr構(gòu)成的雜質(zhì)各自為0.1原子％以下。發(fā)明效果本發(fā)明的光盤及Cu合金記錄層用濺射靶，特別在使用含有ZnS 的保護(hù)層(例如ZnS-Si02)的情況下，可以防止或者抑制S從保護(hù)層 擴(kuò)散而造成的Cu記錄層的硫化，可以得到不產(chǎn)生記錄比特誤差的光記 錄介質(zhì)，而且作為可以高速記錄和大容量寫入的光盤材料以及Cu合金 記錄層用濺射靶，具有優(yōu)良的效果。


圖1是表示硫化物的標(biāo)準(zhǔn)生成自由能與溫度的關(guān)系的圖(a)。 圖2是表示硫化物的標(biāo)準(zhǔn)生成自由能與溫度的關(guān)系的圖(b)。 圖3是表示實(shí)施例1的添加Zn防腐蝕加速試驗(yàn)中反射率的測(cè)定結(jié) 果的圖。圖4是表示實(shí)施例2的添加Mn防腐蝕加速試驗(yàn)中反射率的測(cè)定 結(jié)果的圖。圖5是表示比較例1的添加Al防腐蝕加速試驗(yàn)中反射率的測(cè)定結(jié) 果的圖。圖6是表示比較例2的添加Mg防腐蝕加速試驗(yàn)中反射率的測(cè)定 結(jié)果的圖。圖7是表示比較例3的添加B防腐蝕加速試驗(yàn)中反射率的測(cè)定結(jié) 果的圖。具體實(shí)施方式

以下，具體說明完成本發(fā)明的背景以及本發(fā)明。一般而言，在通過合金防止氧化的情況下，可以采用的方法是在金屬的表面形成致密的氧化膜，通過該致密的氧化膜，防止進(jìn)行更深 程度的氧化。例如，Al是氧化能力強(qiáng)的材料，但是由于在表面形成致 密的八1203，因此不會(huì)進(jìn)行更深程度的氧化，而變成耐腐蝕性極其優(yōu)良的材料。另外，MgO也是同樣的材料。因此，認(rèn)為選擇氧化物的標(biāo)準(zhǔn)生成自由能小的材料作為添加到母 材中的添加劑是有效的。如果利用該氧化現(xiàn)象，則認(rèn)為選擇硫化物的標(biāo)準(zhǔn)生成能比母材Cu 小的材料，作為添加到Cu中的添加材料是適合的。但是，如后述的實(shí)施例所示，出現(xiàn)的現(xiàn)象是即使選擇硫化物的標(biāo)準(zhǔn)生成能比母材Cu小的材料，也未必能夠防止硫化。關(guān)于與母材Cu相比硫化物的標(biāo)準(zhǔn)生成能非常小的材料Al的添加，稍微有防腐蝕(防硫化)效果但不充分(參照后述的比較例1)，另外，關(guān)于Mg的添加，結(jié)果反而促進(jìn)Cu的硫化(參照后述的比較例2)。因此，對(duì)于硫化物的標(biāo)準(zhǔn)生成能比Cu稍高的情況，于是選擇B。 B顯著高于Zn的硫化物的標(biāo)準(zhǔn)生成能，但是與Cu相比稍低但為同等 程度。此時(shí)，如所預(yù)計(jì)的，B的添加結(jié)果反而促進(jìn)Cu的硫化(參照后 述的比較例3)。不過，如后述的實(shí)施例1和2所示，當(dāng)添加Mn和Zn時(shí)，顯示出 極高的防腐蝕(防硫化)效果。該添加物的共同點(diǎn)是與作為保護(hù)層使 用的例如ZnS-Si02的ZnS的標(biāo)準(zhǔn)生成能接近的添加材料。相反，如前 所述，該差變大時(shí)，就如Al和Mg的情況所示，不能取得效果。艮口，發(fā)現(xiàn)形成標(biāo)準(zhǔn)生成能在ZnS的300K下的標(biāo)準(zhǔn)生成能 -112kcal/mo1 S2±20的范圍內(nèi)的硫化物的元素是有效的。另夕卜，300K是室溫附近的溫度，由于記錄介質(zhì)是在室溫下保存，因此室溫狀態(tài)下的腐蝕成為問題。因此，300K下ZnS的情況是重要的。作為適合該條件的物質(zhì)，可以列舉選自Zn、 Mn、 Ga、 Ti和Ta的 金屬元素。另外，這些物質(zhì)的1至20原子％的添加是有效的。低于1 原子％時(shí)，得不到添加的效果，而超過20原子％添加時(shí)，作為Cu記錄 層的作用減小，因此不優(yōu)選。這種現(xiàn)象的理由，理論上未必清楚，但是推測(cè)是如下的理由。以 下進(jìn)行說明。一般而言，ZnS在Zn和S分別為1: 1時(shí)是穩(wěn)定的化合物，但是 組成中未必是1: 1的化學(xué)計(jì)量組成，組成范圍中存在富Zn的情況和 富S的情況。富Zn時(shí)，ZnS的S活量(表示S的活性程度的量，活量越大活性 越高，越容易將對(duì)方硫化)小，不會(huì)形成不穩(wěn)定的硫化物CuS或Cu2S， 因此認(rèn)為不會(huì)發(fā)生硫化造成的腐蝕。另一方面，富S時(shí)，ZnS的S活量大，形成比ZnS不穩(wěn)定的硫化 物CuS或Cii2S，因此認(rèn)為會(huì)發(fā)生硫化造成的腐蝕。作為這樣的保護(hù)層使用的組成的ZnS可以通過濺射形成，但當(dāng)部 分地形成富S部分、或者濺射用靶本身形成為富S時(shí)，其組成直接反 映在被膜上，基本被膜的整個(gè)面形成富S層的可能性較高。此時(shí)，認(rèn) 為富S的ZnS成為Cu腐蝕的原因。因此，認(rèn)為通過添加作為硫化物比Cu更穩(wěn)定的材料，起因于ZnS 的活性S (游離S)與添加劑優(yōu)先結(jié)合而形成致密的膜，這可以防止 Cu的硫化。該添加材料如上所述為選自Zn、 Mn、 Ga、 Ti和Ta的金屬元素， 其中Zn和Mn特別有效。這些硫化物本身是透明的，不吸收光，因此 不會(huì)降低作為記錄層的功能。另一方面，關(guān)于上述的Mg，是標(biāo)準(zhǔn)生成能小、形成穩(wěn)定硫化物的 元素，但是該Mg促進(jìn)S從ZnS離解，使ZnS不穩(wěn)定，因此反而促進(jìn) 活性S的生成，降低作為保護(hù)膜的功能。另外，關(guān)于標(biāo)準(zhǔn)生成能比CuS稍小的B，僅僅阻止CuS形成的活 性也沒有，因此可以說B沒有添加效果。作為參考， 一系列硫化物的 標(biāo)準(zhǔn)生成能與溫度的關(guān)系如圖1和圖2所示。另外，圖1出自鋼鐵便 覽(第3版)，第l巻，12頁"基礎(chǔ)理論(圖1*3 (b)硫化物的標(biāo)準(zhǔn) 自由能與溫度的關(guān)系)"，日本鋼鐵協(xié)會(huì)編，丸善發(fā)行(昭和56年10 月30日第2次印刷發(fā)行)。圖2出自Swallin固體熱力學(xué)，圖7*8 "硫 化物的標(biāo)準(zhǔn)自由能與溫度的關(guān)系"，Corona公司發(fā)行(1992年3月25 日15版發(fā)行)。因此，由于促進(jìn)S從ZnS離解而使ZnS不穩(wěn)定、反而促進(jìn)活性S 生成而使作為保護(hù)膜的功能下降的元素、或者連僅僅阻止CuS形成的 活性也沒有的元素，作為Cu中的雜質(zhì)是有害的。因此，優(yōu)選盡量減少它們的含量。這樣的元素如上所述為Mg、 Na、 Ca、 Ba、 Li、 Zr，優(yōu)選這些雜質(zhì)分別為0.1原子％以下。實(shí)施例以下，根據(jù)實(shí)施例和比較例進(jìn)行說明。另外，本實(shí)施例僅僅是例 子，本發(fā)明不受這些實(shí)施例的限制。即，本發(fā)明僅由權(quán)利要求書的范 圍所限制，本發(fā)明也包含這些實(shí)施例以外的各種變形。(實(shí)施例1)將在Cu中分別添加了 1原子％、 5原子％、 10原子％和20原子％ 的Zn的材料在電弧熔煉爐中熔煉，制成錠，然后制作成4種Cu-Zn合 金試樣。另外，為了比較，同樣地制作了Cu錠。將這些試樣的表面拋 光后，用硝酸進(jìn)行蝕刻，并進(jìn)一步在其上被覆ZnS-Si02膜。對(duì)這些試樣進(jìn)行防腐蝕試驗(yàn)。防腐蝕試驗(yàn)是在恒溫恒濕(85°C、 85%、 100小時(shí))下進(jìn)行的加速試驗(yàn)。通過目測(cè)觀察和反射率測(cè)定比較 加速試驗(yàn)前后的腐蝕狀態(tài)。該目測(cè)觀察的防腐蝕試驗(yàn)結(jié)果如表l所示。 另外，反射率測(cè)定結(jié)果如圖3所示。表1中，列出了各添加元素、300K 下硫化物生成的標(biāo)準(zhǔn)自由能AG[kcal/mo1 S2]及防腐蝕的綜合評(píng)價(jià)。ZnS的300K下的標(biāo)準(zhǔn)生成能為-112kcal/mo1 S2，添加硫化物生成 的標(biāo)準(zhǔn)生成能與ZnS相同的添加材料Zn的防腐蝕效果極高并且良好。 另外，如圖3所示，僅僅在Zn添加量為20原子％、 IOO小時(shí)的長期加 速試驗(yàn)中，反射率比Cu的腐蝕試驗(yàn)稍低，但是其他情況下幾乎觀察不 到反射率的下降，可知Zn添加極其有效。(實(shí)施例2)將在Cu中分別添加了 1原子％、 5原子％、 10原子％和20原子％ 的Mn的材料在電弧熔煉爐中熔煉，制成錠，然后制作成4種Cu-Mn 合金試樣。另外，為了比較，同樣地制作了Cu錠。將這些試樣的表面 拋光后，用硝酸進(jìn)行蝕刻，并進(jìn)一步在其上被覆ZnS-Si02膜。對(duì)這些試樣進(jìn)行防腐蝕試驗(yàn)。防腐蝕試驗(yàn)是在恒溫恒濕(S5°C、 85%、 100小時(shí))下進(jìn)行的加速試驗(yàn)。通過目測(cè)觀察和反射率測(cè)定比較 加速試驗(yàn)前后的腐蝕狀態(tài)。該防腐蝕試驗(yàn)結(jié)果如表1所示。另外，反 射率測(cè)定結(jié)果如圖4所示。如表1所示，添加硫化物生成的標(biāo)準(zhǔn)生成能與ZnS接近的添加材料Mn的防腐蝕效果極高并且良好。另外，如圖4所示，Mn添加的情 況反射率與Cu相同或者更好，并且總體上幾乎觀察不到任何反射率的 下降，可知Mn添加極其有效。另外，Ga的AG為-117、 Ti的AG為-116、 Ta的AG為-102，這些元素的每一種都是形成標(biāo)準(zhǔn)生成能在ZnS的300K下的標(biāo)準(zhǔn)生成能 -1121^31/1110132±20范圍內(nèi)的硫化物的元素。因此，這些元素的添加可 以得到與Zn， Mn同樣的效果。另外，這些元素的復(fù)合添加也可以得 到同等的效果。(比較例1)將在Cu中分別添加了 1原子％、 5原子％、 10原子％和20原子％ 的Al的材料在電弧熔煉爐中熔煉，制成錠，然后制作成4種Cu-Al合 金試樣。另外，為了比較，同樣地制作了Cu錠。將這些試樣的表面拋 光后，用硝酸進(jìn)行蝕刻，并進(jìn)一步在其上被覆ZnS-Si02膜。對(duì)這些試樣進(jìn)行防腐蝕試驗(yàn)。防腐蝕試驗(yàn)是在恒溫恒濕(85°C、 85%、 100小時(shí))下進(jìn)行的加速試驗(yàn)。通過目測(cè)觀察和反射率測(cè)定比較 加速試驗(yàn)前后的腐蝕狀態(tài)。該防腐蝕試驗(yàn)結(jié)果如表1所示。另外，反 射率測(cè)定結(jié)果如圖5所示。如表1所示，添加硫化物生成的標(biāo)準(zhǔn)生成能與ZnS不同的添加材 料A1的防腐蝕效果稍差。另外，如圖5所示，Al添加的情況反射率與 Cu單獨(dú)相比變動(dòng)較大，隨著防腐蝕試驗(yàn)的時(shí)間推移，總體上反射率下 降顯著。由此可知Al添加效果非常差。表1添加元素△G[kacl/mol S2]防腐蝕效果300K實(shí)施例1Zn-112高實(shí)施例2Mn-124高比較例1Al-134稍差比較例2Mg-183非常差比較例3B-60非常差(比較例2)將在Cu中分別添加了 1原子％、 5原子％、 10原子％和20原子％ 的Mg的材料在電弧熔煉爐中熔煉，制成錠，然后制作成4種Cu-Mg 合金試樣。另外，為了比較，同樣地制作了Cu錠。將這些試樣的表面 拋光后，用硝酸進(jìn)行蝕刻，并進(jìn)一步在其上被覆ZnS-Si02膜。對(duì)這些試樣進(jìn)行防腐蝕試驗(yàn)。防腐蝕試驗(yàn)是在恒溫恒濕(85°C、 85%、 100小時(shí))下進(jìn)行的加速試驗(yàn)。通過目測(cè)觀察和反射率測(cè)定比較 加速試驗(yàn)前后的腐蝕狀態(tài)。該防腐蝕試驗(yàn)結(jié)果如表1所示。另外，反 射率測(cè)定結(jié)果如圖6所示。如表1所示，添加硫化物生成的標(biāo)準(zhǔn)生成能與ZnS大大不同的添 加材料Mg的防腐蝕效果非常差。另外，如圖6所示，Mg添加的情況 反射率與Cu單獨(dú)相比變動(dòng)較大，隨著防腐蝕試驗(yàn)的時(shí)間推移，總體上 反射率下降顯著。由此可知Mg添加效果非常差。(比較例3)將在Cu中分別添加了 1原子％、 5原子％、 10原子％和20原子％ 的B的材料在電弧熔煉爐中熔煉，制成錠，然后制作成4種Cu-B合金 試樣。另外，為了比較，同樣地制作了Cu錠。將這些試樣的表面拋光 后，用硝酸進(jìn)行蝕刻，并進(jìn)一步在其上被覆ZnS-Si02膜。對(duì)這些試樣進(jìn)行防腐蝕試驗(yàn)。防腐蝕試驗(yàn)是在恒溫恒濕(85°C、 85%、 100小時(shí))下進(jìn)行的加速試驗(yàn)。通過目測(cè)觀察和反射率測(cè)定比較 加速試驗(yàn)前后的腐蝕狀態(tài)。該防腐蝕試驗(yàn)結(jié)果如表1所示。另外，反 射率測(cè)定結(jié)果如圖7所示。如表1所示，添加硫化物生成的標(biāo)準(zhǔn)生成能與ZnS大大不同的添 加材料B的防腐蝕效果非常差。另外，如圖7所示，B添加的情況反 射率與Cu單獨(dú)相比變動(dòng)較大，隨著防腐蝕試驗(yàn)的時(shí)間推移，總體上反 射率下降顯著。由此可知B添加效果非常差。產(chǎn)業(yè)實(shí)用性本發(fā)明的光盤及Cu合金記錄層用濺射靶，特別是使用ZnS-Si02 作為保護(hù)層的情況下，可以防止或者抑制S從保護(hù)層擴(kuò)散而造成的Cu 記錄層的硫化，可以得到不產(chǎn)生記錄比特誤差的光記錄介質(zhì)，而且作 為可以高速記錄和大容量寫入的光盤材料以及Cu合金記錄層用濺射耙 極其有用。
權(quán)利要求
1.一種具有Cu合金記錄層的光盤，其具有記錄層與含有ZnS的保護(hù)層鄰接的結(jié)構(gòu)，其中，該記錄層以總量計(jì)含有1至20原子％選自Zn、Mn、Ga、Ti和Ta中的一種以上成分，余量為Cu及不可避免的雜質(zhì)。
2. 權(quán)利要求l所述的具有Cu合金記錄層的光盤，其中，Cu合金 記錄層中存在的由Mg、 Na、 Ca、 Ba、 Ce、 Li或Zr構(gòu)成的雜質(zhì)各自為 0.1原子％以下。
3. —種Cu合金記錄層用濺射靶，其中，以總量計(jì)含有1至20原 子％選自Zn、 Mn、 Ga、 Ti和Ta中的一種以上成分，余量為Cu及不 可避免的雜質(zhì)。
4. 權(quán)利要求3所述的Cu合金記錄層用濺射靶，其中，Cu合金中 存在的由Mg、 Na、 Ca、 Ba、 Ce、 Li或Zr構(gòu)成的雜質(zhì)各自為0.1原子 %以下。
全文摘要
一種具有Cu合金記錄層的光盤，其具有記錄層由ZnS-SiO₂保護(hù)層夾持的結(jié)構(gòu)，其中該記錄層以總量計(jì)含有1至20原子％選自Zn、Mn、Ga、Ti和Ta中的一種以上成分，余量為Cu及不可避免的雜質(zhì)。本發(fā)明涉及光盤及Cu合金記錄層用濺射靶，提供特別在使用ZnS-SiO₂作為保護(hù)層的情況下，可以防止或者抑制S從保護(hù)層擴(kuò)散而造成的Cu記錄層的硫化，可以得到不產(chǎn)生記錄比特誤差的光記錄介質(zhì)的光盤及Cu合金記錄層用濺射靶。
文檔編號(hào)B41M5/26GK101218106SQ200680024498
公開日2008年7月9日 申請(qǐng)日期2006年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月4日
發(fā)明者佐藤賢次 申請(qǐng)人:日礦金屬株式會(huì)社