技術(shù)編號(hào):2009760
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于陶瓷、耐火材料以及礦產(chǎn)廢棄物綜合利用,提供了一種用金 礦尾礦合成SiC粉體的方法,工藝簡(jiǎn)單易于控制,原料成本低。背景技術(shù)碳化硅是一種強(qiáng)共價(jià)鍵化合物材料,具有優(yōu)異的高溫強(qiáng)度、耐磨性、耐腐蝕性、耐 輻照、高硬度、高彈性模量、高熱導(dǎo)率、高溫強(qiáng)度、熱膨脹系數(shù)小、抗熱震性能好等顯著特點(diǎn), 在航空、航天、汽車(chē)、機(jī)械、石化、冶金和電子等行業(yè)得到了廣泛的應(yīng)用。碳熱還原法是合成SiC粉體的常用方法,技術(shù)成熟,工藝簡(jiǎn)單,易于控制,但粉體 質(zhì)量不高、雜質(zhì)含量大。公開(kāi)號(hào)...
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