技術(shù)編號：1990462
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及無鉛壓電薄膜制備的領(lǐng)域。背景技術(shù)近年來，壓電陶瓷及其薄膜材料以其優(yōu)良的介電、壓電、電光及非線性光學(xué)等特性，在微電子學(xué)、光電子學(xué)、集成光學(xué)、微機(jī)械學(xué)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，在其材料選擇及制備方法上仍存在一些問題如(I)現(xiàn)有多數(shù)壓電薄膜含鉛量過大，給環(huán)境和人類生活帶來了嚴(yán)重危害；(2)在制備過程中，薄膜晶化溫度過高，不利于大面積Si集成電路的應(yīng)用；(3)薄膜制備通常選擇的基底為(lll)Pt/Ti/Si02/Si，致使在薄膜制備過程中，其織構(gòu)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。