技術(shù)編號:1967545
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種陶瓷環(huán)的制備方法,尤其涉及一種多晶硅還原爐用氮化硅陶瓷環(huán) 的制備方法,屬于無機化學(xué)材料。背景技術(shù)多晶硅還原爐是提煉多晶硅棒的專用設(shè)備。目前國內(nèi)外多晶硅還原爐硅芯擊 穿啟 動,主要依靠電輻射加熱器加熱來降低硅芯電阻率從而滿足低電壓啟動要求,而純硅在常 溫下導(dǎo)電性很差,電阻率過大,基本可視為絕緣體,從而導(dǎo)致啟動時間過長,影響生產(chǎn)效率。 因而采用高壓啟動方式的新工藝漸為人們所以,其首先施高壓擊穿,使之成為電阻率較低 的導(dǎo)體,進而提升導(dǎo)通電流速度,使...
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