技術(shù)編號(hào)：1948994
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種金屬氧化物陶瓷靶的制備方法，特別是一種鎳酸鑭陶瓷靶的制備方法，屬于微電子材料制備。背景技術(shù)鎳酸鑭(LaNi03，簡稱LN0)薄膜主要用于鐵電薄膜鈦酸鍶鋇(BST)和鋯鈦酸鉛(PZT)電容器的電極材料，應(yīng)用于微電子學(xué)和光電子學(xué)。目前，常用的方法之一是采用Pt或以Pt為基礎(chǔ)的金屬薄膜作為電極材料如Pt/Ti/SiO乂Si，但由于金屬本身的性質(zhì)會(huì)導(dǎo)致一些問題，從而導(dǎo)致器件性能下降，例如Pt薄膜和Si襯底結(jié)合不緊密；采用Ti作為粘合層，Pt層和Ti層...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。