技術(shù)編號：1946187
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種膜的制備方法，特別涉及一種具有高導(dǎo)電性能IT0膜的制備 方法。背景技術(shù)摻錫氧化銦(Indium Tin Oxide稱ITO)透明導(dǎo)電薄膜，作為一種n型簡 并半導(dǎo)體，以其良好的導(dǎo)電性能、較高的可見光范圍內(nèi)的透光率、與基體較好 的結(jié)合能力和良好的化學(xué)穩(wěn)定性，愈來愈受到關(guān)注，已在很多領(lǐng)域包括平面顯 示(液晶顯示器LCD、有機(jī)電致發(fā)光顯示器OLED)、太陽能電池、傳感器、功能 性玻璃等方面得到廣泛應(yīng)用。目前，ITO膜的制備方法很多，包括磁控濺射法、化...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。