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在硅片上生長(zhǎng)微米級(jí)塊狀結(jié)構(gòu)的氧化銦薄膜的方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):1945616

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本發(fā)明涉及一種在硅片上生長(zhǎng)微米級(jí)塊狀結(jié)構(gòu)的氧化銦(111203 )薄膜的方法,具體涉及一種在大氣壓強(qiáng)和沒(méi)有催化劑的條件下,用熱 蒸發(fā)在硅片上生長(zhǎng)大面積的微米級(jí)塊狀結(jié)構(gòu)的氧化銦的方法,屬于光 電子材料和半導(dǎo)體材料及其制備的。技術(shù)背景氧化銦是用來(lái)制備透明導(dǎo)電薄膜的ITO(In203/Sn02)靶材的主要 成分。事實(shí)上,氧化銦本身就是透明導(dǎo)電膜的原料,由于無(wú)需與Sn02 相混,故大大的縮短了工藝流程,而單一的111203薄膜的光電性能、 耐磨性及耐蝕性等都與IT...
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