技術(shù)編號：1944423
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及濺射靶及氧化物半導(dǎo)體膜。 背景技術(shù)由金屬復(fù)合氧化物形成的氧化物半導(dǎo)體膜具有高移動(dòng)度性及可見光 透過性，目前正用于液晶顯示裝置、薄膜電致發(fā)光顯示裝置、電泳方式顯 示裝置、粉末移動(dòng)方式顯示裝置等的開關(guān)元件、驅(qū)動(dòng)電路元件等用途中。作為由金屬復(fù)合氧化物形成的氧化物半導(dǎo)體膜，可列舉如由In、 Ga 及Zn的氧化物(IGZO)所形成的氧化物半導(dǎo)體膜。使用IGZO濺射靶成 膜而得的氧化物半導(dǎo)體膜具有移動(dòng)度比非晶硅膜大的優(yōu)點(diǎn)，目前備受矚目 (專利文獻(xiàn)1 10)。...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。