技術(shù)編號：1885131
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種靶材的制備方法，特別是一種高性能IGZO靶材的制備方法。包括以下步驟（1）將Ga2O3納米粉體、ZnO納米粉體與In2O3納米粉體按原子比InGaZn=11~51~5均勻球磨混合得到IGZO粉體，添加IGZO粉體質(zhì)量1%-5%的PVA進行造粒；（2）將IGZO粉體裝入模具中在40～80MPa下壓制成型，將第一次成型的素坯，再用200-300MPa進行二次成型，然后以4-8MPa/min進行卸壓，至常壓后取出成型好的素坯；（3）將素坯放在燒結(jié)爐...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。