技術(shù)編號(hào)：1855243
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于提拉單晶硅的。背景技術(shù)在單晶硅的制造中，通常采用的是使用氧化硅玻璃坩堝的切克勞斯基法(CZ法)。 具體而言，向氧化硅玻璃坩堝內(nèi)部放入熔化多晶硅原料而得的硅熔液，然后將單晶硅的品種浸潰于其中，旋轉(zhuǎn)模具的同時(shí)慢慢提拉，以單晶硅的品種為核心使其生長(zhǎng)而制造單晶硅。此時(shí)使用的氧化硅玻璃坩堝，這種坩堝具有由含有大量氣泡的外層和透明內(nèi)層構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)，通常以邊旋轉(zhuǎn)模具邊按照用電弧熔化方式對(duì)氧化硅粉層進(jìn)行熔化的成形法被制得(例如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。眾所周...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。