技術(shù)編號：1853688
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種脈沖磁場作用下水熱法制備錳銅共摻雜ZnO稀磁半導體材料的方法與裝置，屬于磁性半導體材料工藝制備。背景技術(shù)稀磁半導體(diluted magnetic semiconductor，DMS)同時具有電子的自旋屬性和電荷屬性，具有優(yōu)異的磁光、磁電等性能，使其在高密度非易失性存儲器、磁感應器、量子計算機等領(lǐng)域有著廣闊的應用前景，被認為是制作下一代自旋電子器件的主要材料。ZnO是一種直接寬禁帶半導體材料，禁帶寬度為3.37eV，室溫激子束縛能約為 60...
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