技術(shù)編號(hào)：1853353
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種，其中坩堝用于從熔融的硅拉制半導(dǎo)體等用的單晶硅的方法中。背景技術(shù) 在單晶硅的拉制過程中，在單晶硅中形成位錯(cuò)的一個(gè)原因公認(rèn)為是在石英玻璃坩堝內(nèi)側(cè)表面上形成的方石英釋放到熔融的硅中所致。還公知，將作為結(jié)晶促進(jìn)劑的堿土金屬涂覆到坩堝內(nèi)側(cè)表面上以在拉制的早期階段在坩堝的內(nèi)側(cè)表面上形成方石英層的工藝(例如，US5976247或JP3100836)是解決該問題的對(duì)策。在這些發(fā)明中，將氫氧化鋇溶液等涂覆到石英玻璃坩堝的表面上并且涂覆的氫氧化鋇與空氣中的二氧...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。