技術(shù)編號：1800197
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及片式電容器技術(shù)，具體是一種可與賤金屬內(nèi)電極材料在還原氣氛下共同燒結(jié)的、介電系數(shù)溫度特性符合EIA標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的X7R特性要求的片式電容器用介質(zhì)陶瓷材料。本發(fā)明還涉及所述介質(zhì)陶瓷材料的制備方法。背景技術(shù) 為了適應(yīng)小型化的要求，片式瓷介電容器介質(zhì)和內(nèi)電極層數(shù)不斷增加，內(nèi)電極所占成本不斷提高。采用賤金屬鎳(Ni)、銅(Cu)代替昂貴的鈀-銀(Pd-Ag)作為電極材料可以大大降低片式電容器制造成本。由于金屬鎳或銅在高溫下易于氧化，且由于內(nèi)電極必須與介質(zhì)材料一...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。