技術(shù)編號(hào)：1543084
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，尤其適用于經(jīng)過通常清洗エ藝后，部分表面具有砂漿殘留、花籃印、清洗液殘留、清洗液與硅的反應(yīng)物、硅片氧化物的粘污太陽能硅片清洗。背景技術(shù)目前，太陽能硅片的清洗方法是在晶棒切成片并經(jīng)脫膠后，先用純水漂洗，接著用純水超聲清洗，然后又在純水中加入清洗劑進(jìn)行超聲波清洗，之后再經(jīng)多次純水超聲波漂洗即完成清洗エ藝。通過這種正常的清洗エ藝后，再通過檢驗(yàn)，經(jīng)常會(huì)檢出較大比重的粘污片，上面會(huì)有砂漿殘留、花籃印、清洗液殘留、清洗液與硅的反應(yīng)物、硅片氧化物等，這些粘污的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。