專利名稱：一種粘污太陽(yáng)能硅片的清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種粘污太陽(yáng)能硅片的清洗方法，尤其適用于經(jīng)過(guò)通常清洗エ藝后，部分表面具有砂漿殘留、花籃印、清洗液殘留、清洗液與硅的反應(yīng)物、硅片氧化物的粘污太陽(yáng)能硅片清洗。
背景技術(shù)：
目前，太陽(yáng)能硅片的清洗方法是在晶棒切成片并經(jīng)脫膠后，先用純水漂洗，接著用純水超聲清洗，然后又在純水中加入清洗劑進(jìn)行超聲波清洗，之后再經(jīng)多次純水超聲波漂洗即完成清洗エ藝。通過(guò)這種正常的清洗エ藝后，再通過(guò)檢驗(yàn)，經(jīng)常會(huì)檢出較大比重的粘污片，上面會(huì)有砂漿殘留、花籃印、清洗液殘留、清洗液與硅的反應(yīng)物、硅片氧化物等，這些粘污的太陽(yáng)能硅片如果采用通常的清洗エ藝再次清洗，幾乎沒(méi)有效果。只有報(bào)廢或作次片處 理，影響了太陽(yáng)能硅片的合格率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供具有很好的清洗效果的一種粘污太陽(yáng)能硅片的清洗方法。本發(fā)明采取的技術(shù)方案是一種粘污太陽(yáng)能硅片的清洗方法，其特征在于將硅片放入水中，并在水中按質(zhì)量百分比加入I I. 5%的清洗液和O. I O. 3%的氫氧化鈉，然后將該溶液加熱到45 55°C，再采用超聲波清洗硅片5 10分鐘；接著，將硅片放在質(zhì)量百分比濃度為I 2%的檸檬酸溶液中漂洗5 10分鐘；最后用純水超聲溢流清洗硅片若干道即可。采用本發(fā)明，可以極大地提高粘污太陽(yáng)能硅片的清洗效果，達(dá)到提高太陽(yáng)能硅片清洗合格率的目的；據(jù)實(shí)踐表明，太陽(yáng)能硅片的清洗合格率由原來(lái)的98%提高到99. 99%。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)ー步說(shuō)明。I、將若干粘污太陽(yáng)能硅片放在100 kg水中，并加入I I. 5 kg的清洗液和O. I
O.3 kg的氫氧化鈉，將該溶液加熱到45 55°C，用超聲波清洗硅片5 10分鐘。2、接著，將硅片放在質(zhì)量百分比濃度為I 2%的檸檬酸溶液中漂洗5 10分鐘。3、最后用純水超聲溢流清洗硅片二道以上，每道5 8分鐘時(shí)間即可。
權(quán)利要求
1.一種粘污太陽(yáng)能硅片的清洗方法，其特征在于將硅片放入水中，并在水中按質(zhì)量百分比加入I I. 5%的清洗液和O. I O. 3%的氫氧化鈉，然后將該溶液加熱到45 55°C，再采用超聲波清洗硅片5 10分鐘；接著，將硅片放在質(zhì)量百分比濃度為I 2%的檸檬酸溶液中漂洗5 10分鐘；最后用純水超聲溢流清洗硅片若干道即可。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種粘污太陽(yáng)能硅片的清洗方法，該方法是將硅片放入水中，并在水中按質(zhì)量百分比加入1～1.5%的清洗液和0.1～0.3%的氫氧化鈉，然后將該溶液加熱到45～55℃，再采用超聲波清洗硅片5～10分鐘；接著，將硅片放在質(zhì)量百分比濃度為1～2%的檸檬酸溶液中漂洗5～10分鐘；最后用純水超聲溢流清洗硅片若干道即可。采用本發(fā)明，可以極大地提高粘污太陽(yáng)能硅片的清洗效果，達(dá)到提高太陽(yáng)能硅片清洗合格率的目的；據(jù)實(shí)踐表明，太陽(yáng)能硅片的清洗合格率由原來(lái)的98%提高到99.99%。
文檔編號(hào)B08B3/12GK102744230SQ20121026124
公開(kāi)日2012年10月24日 申請(qǐng)日期2012年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月26日
發(fā)明者井辰龍, 余小金, 吳志軍, 郜勇軍 申請(qǐng)人:浙江矽盛電子有限公司