技術(shù)編號(hào)：1495967
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本申請(qǐng)涉及用于CoWP和多孔電介質(zhì)的濕清潔組合物。 背景技術(shù) 在集成電路(IC)的連續(xù)剝離(scaling)中面臨的諸多挑戰(zhàn)之一是使Cu互連達(dá)到可接受的電遷移(EM)可靠性。解決這一挑戰(zhàn)的一種方法是在Cu上界面上沉積金屬覆蓋層。鈷鎢磷化物(cobalt tungsten phosphide，CoWP)的無電沉積作為Cu金屬化的覆蓋層看來是最有希望的候選。 CoWP的成功執(zhí)行不僅依賴于優(yōu)化的沉積，而且依賴于完全CoWP相容的集成(integration...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。