技術(shù)編號:1350968
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及用含氟化銨的溶液處理(腐蝕和/或清洗)半導體晶片及在其使用點制備這種溶液的工藝控制領(lǐng)域。背景技術(shù)可以采用不同溶液來清洗和腐蝕半導體晶片。近來,一般清洗溶液,特別是為氧化物腐蝕設計的溶液已制備成將其中所含氟化銨作為主要清洗或腐蝕化合物。這種情況下,半導體處理單元被設計成存放已制備的氟化銨溶液,然后在半導體處理者需要時使用這些溶液。這種溶液稱為緩沖HF溶液,是由作為弱酸的氫氟酸和這種酸的鹽氟化銨(NH4F)的混合物構(gòu)成的。起初將這種混合物研制成為緩沖...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。