技術(shù)編號(hào)：1342411
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及基于超臨界二氧化碳的組合物，在半導(dǎo)體制造中用于從其上具有粒子污染物的圖案化硅/二氧化硅基片上去除粒子污染物，并涉及采用此類組合物從半導(dǎo)體基片上去除粒子污染物的方法。相關(guān)技術(shù)描述在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，采用了各種晶片清潔方法用以去除粒子污染物。舉幾個(gè)例子，這些方法包括超聲、高壓噴射洗滌、受激準(zhǔn)分子激光燒蝕以及二氧化碳雪噴(snow-jet)技術(shù)。近來對(duì)采用空氣從半導(dǎo)體基片吹走粒子，以及清洗時(shí)的流體噴射動(dòng)力學(xué)作了廣泛研究。迄今所有開發(fā)的方法均具有相關(guān)聯(lián)的缺...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。