技術(shù)編號：1328145
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于集成電路(IC)制造工藝，具體涉及一種新的清洗溶液配方解決氮化硅濕法剝離存在問題的方法。背景技術(shù) 集成電路的器件性能、可靠性和硅電路產(chǎn)品成品率受到殘留在硅片或器件表面化學試劑雜質(zhì)和顆粒雜質(zhì)嚴重影響。由于半導體表面和亞微米尺寸器件特征極端敏感性，硅片初始清洗、氧化和形成圖形后清洗有效技術(shù)甚至比之前清洗顯得更加重要。因此，超清潔硅片表面制備在超大規(guī)模集成電路(VLSI)硅電路生產(chǎn)中，例如64-和256M DRAM器件，已經(jīng)成為關(guān)鍵技術(shù)之一。“超清潔”...
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