技術(shù)編號：12938317
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本申請涉及高技術(shù)陶瓷領(lǐng)域，尤其涉及一種碳化硅復(fù)合材料及制備方法。背景技術(shù)碳化硅具有與硅相近的熱膨脹系數(shù)以及高硬度、高耐蝕等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、液晶生產(chǎn)設(shè)備中。以往半導(dǎo)體用的高純碳化硅陶瓷材料多采用B-C系固相燒結(jié)，但是B-C系固相燒結(jié)的碳化硅陶瓷，斷裂韌性較低，抗彎強(qiáng)度較差，在后續(xù)的機(jī)械加工過程中極易發(fā)生崩瓷等現(xiàn)象，導(dǎo)致產(chǎn)品合格率低下，嚴(yán)重影響著碳化硅陶瓷加工的成品率。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本申請?zhí)峁┮环N碳化硅復(fù)合材料及制備方法，解決現(xiàn)有碳化硅陶瓷在后續(xù)加工過程中容易發(fā)生崩瓷的問題。本申請實(shí)施...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。