技術(shù)編號(hào)：12937280
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種制備Si-Cu2O異質(zhì)結(jié)納米線陣列的方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體納米材料制備技術(shù)領(lǐng)域。更具體地，涉及一種制備Si-Cu2O異質(zhì)結(jié)納米線陣列的方法。背景技術(shù)Si半導(dǎo)體具有成本低、吸收光譜范圍廣、光學(xué)與電學(xué)性能易調(diào)控等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于光伏、光電催化、電子電路等領(lǐng)域。然而，在光電催化領(lǐng)域，Si很容易在表面形成氧化層而阻礙電荷的傳輸，同時(shí)Si容易被腐蝕導(dǎo)致其穩(wěn)定性較差。此外，Si自身的價(jià)帶位置高于析氧反應(yīng)的能級(jí)，導(dǎo)致需要外加電壓才能夠?qū)崿F(xiàn)水的分解反應(yīng)。采用構(gòu)建Si-半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的方法，可以有效的解...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。