技術(shù)編號(hào):12916809
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。背景技術(shù)隨著集成電路高密度的發(fā)展趨勢(shì),構(gòu)成電路的器件更緊密地放置在芯片中以適應(yīng)芯片的可用空間。相應(yīng)地,半導(dǎo)體襯底單位面積上有源器件的密度不斷增加,因此器件之間的有效絕緣隔離變得更加重要。淺溝槽隔離(ShallowTrenchIsolation,STI)技術(shù)具有良好的隔離效果(例如:工藝隔離效果和電性隔離效果),淺溝槽隔離技術(shù)還具有減少占用晶圓表面的面積、增加器件的集成度等優(yōu)點(diǎn)。因此,隨著集成電路尺寸的減小,器件之間的隔離現(xiàn)主要采用淺溝槽隔...
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