技術(shù)編號(hào)：12913530
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種WSe2-SnS2p-n結(jié)納米材料及其制備方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種WSe2-SnS2p-n結(jié)納米材料及其制備方法；屬于層狀合金材料復(fù)合結(jié)構(gòu)制備技術(shù)領(lǐng)域。技術(shù)背景自從2004年石墨烯被發(fā)現(xiàn)以來(lái)，二維材料，尤其是p-n結(jié)由于其潛在的在電子器件，光電器件，邏輯器件等方面的應(yīng)用前景引起了國(guó)內(nèi)外科學(xué)家的廣泛關(guān)注。硫族過(guò)渡金屬化合物，如MoS2、MoSe2、WS2和WSe2，尤其是其單層材料具備獨(dú)特的光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)，SnS2納米材料具有和WSe2相似的晶格結(jié)構(gòu)。p-n結(jié)是半導(dǎo)體器件中起著非常重要的作用...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。