技術(shù)編號:12909040
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型屬于半導(dǎo)體器件制造領(lǐng)域,尤其涉及一種用于晶片氧化的石英舟。背景技術(shù)在半導(dǎo)體器件制造工藝中,常在晶片表面生長一層氧化層,用來保護器件表面,二極管芯片制造也如此。目前GPP二極管芯片氧化工序,大多采用單槽插片氧化方法,此方法存在以下缺點:1、每爐產(chǎn)量低,批量生產(chǎn)效率低,成本相對較高;2、操作過程中石英舟對晶片邊緣損傷較大,最終導(dǎo)致成品率下降。實用新型內(nèi)容本實用新型針對上述的問題,提供了一種用于晶片氧化的石英舟。為了達到上述目的,本實用新型采用的技術(shù)方案為,本實用新型提供一種用于晶片氧化的石...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。