技術(shù)編號:12907552
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于電池材料和氮化硅納米材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種高容量、循環(huán)穩(wěn)定性衰減率小、在棉絮狀單質(zhì)硅納米線團的外表面及其空隙內(nèi)包覆有氮化硅及碳化層的負極材料的制備方法和用途。背景技術(shù)單質(zhì)硅納米線是一種一維納米結(jié)構(gòu)材料,具有極好的柔軟性,是一種優(yōu)異的復(fù)合材料增加體,是一種一維寬帶隙半導體材料,可以通過摻雜該材料對電學、光學性能進行調(diào)控,在納米電子器件、光學器件領(lǐng)域有重要應(yīng)用。本發(fā)明采用的臺州市金博超導納米材料科技有限公司生產(chǎn)的棉絮狀單質(zhì)硅納米線團的產(chǎn)量目前已達年產(chǎn)數(shù)百噸的生產(chǎn)能力,將逐步形成更大的生...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。