技術(shù)編號：12907407
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體技術(shù)，特別是涉及一種半導體MIM電容結(jié)構(gòu)的制作方法及其電容結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)MIM電容器作為存儲電荷、耦合、濾波器件得到廣泛的應(yīng)用，在半導體集成電路的制作過程中其制作是一個重要的工藝環(huán)節(jié)。習知的MIM電容器包括上、下電極板以及夾設(shè)于兩者之間的介質(zhì)層，且電容器的電容值和電極板的面積成正比。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，為了改善半導體器件的整體性能以達到更快的運算速度、更大的數(shù)據(jù)存儲量以及更多的功能，對電容器的容量要求日益提高。為了增大電容器的容量，現(xiàn)有技術(shù)往往采用增大電容器電極板面積的方法，這...
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