技術(shù)編號(hào)：12900331
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種清洗劑、其制備方法和應(yīng)用。背景技術(shù)在集成電路的雙重鑲嵌加工期間，光刻法用于將圖案成像在裝置晶片上。光刻技術(shù)包括涂覆、曝光和顯影步驟。用正性或負(fù)性光刻膠物質(zhì)涂覆晶片并隨后用掩模覆蓋，所述掩模在隨后的工藝中限定待保持或去除的圖案。將掩模適當(dāng)放置后，掩模已將一束單色輻射，例如紫外(UV)光或深UV(DUV)光(≈250nm或193nm)導(dǎo)向通過掩模，以使暴露的光刻膠材料或多或少地可溶于選擇的沖洗溶液中。然后去除或“顯影”可溶性光刻膠材料，從而留下與掩模相同的圖案。隨后，將氣相等離子刻蝕用...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。