技術(shù)編號：12889755
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計領(lǐng)域，尤其是涉及集成電路的抗輻射加固設(shè)計領(lǐng)域，具體為一種基于雙輸入反相器的容忍雙點翻轉(zhuǎn)鎖存器。背景技術(shù)對于應(yīng)用于空間環(huán)境中的數(shù)字電路，特別是時序電路，單粒子翻轉(zhuǎn)會嚴(yán)重影響芯片功能的正確性?，F(xiàn)有的加固技術(shù)多數(shù)針對SEU,但是隨著集成電路尺寸的減小以及芯片供電電壓的下降，電路內(nèi)部節(jié)點可以存儲的關(guān)鍵電荷大大減少。研究表明，當(dāng)集成電路工藝進(jìn)入90nm以后，由輻射效應(yīng)導(dǎo)致的單粒子雙點翻轉(zhuǎn)的概率逐步上升，從而影響電路的性能。在時序元件(如鎖存器)中，單粒子效應(yīng)主要表現(xiàn)為單粒子單點翻轉(zhuǎn)和...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。