技術(shù)編號(hào)：12888835
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，且特別涉及一種多晶硅側(cè)墻沉積針孔缺陷的檢測方法。背景技術(shù)隨著集成電路工藝的發(fā)展，半導(dǎo)體工藝器件的尺寸不斷微縮以及性能的提升，越來越需要應(yīng)用原子層沉積工藝，原子層沉積分為擴(kuò)散沉積與化學(xué)氣相沉積等，而化學(xué)氣相沉積過程中容易發(fā)生針孔缺陷問題，如圖1所示，在28nm產(chǎn)品研發(fā)過程中，發(fā)現(xiàn)多晶硅側(cè)墻的針孔缺陷，導(dǎo)致W沉積時(shí)通過針孔使接觸孔與多晶硅短路。導(dǎo)致這一問題的原因如圖2a和圖2b所示，該結(jié)構(gòu)從下至上依次為晶背多晶硅側(cè)墻SIN10，晶背多晶硅20，Si襯底30，側(cè)墻SI...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。