技術(shù)編號：12888834
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明有關(guān)于半導(dǎo)體裝置的測試技術(shù)，特別有關(guān)于一種加寬輸入輸出內(nèi)存的硅穿孔測試裝置。背景技術(shù)內(nèi)存芯片等半導(dǎo)體組件在封裝階段需要電性測試，以確定是否為良品以及運(yùn)算速率等級。對于內(nèi)存芯片與邏輯芯片的下一代堆棧標(biāo)準(zhǔn)來說，硅穿孔(ThroughSiliconVia,TSV)技術(shù)是關(guān)鍵科技，以連接多個內(nèi)存芯片，具體可為各式包含硅穿孔結(jié)構(gòu)的已知半導(dǎo)體封裝構(gòu)造以及芯片立體堆棧體(diecube)，并應(yīng)經(jīng)過電性測試以確保微電子產(chǎn)品質(zhì)量。就加寬輸入輸出(WIDEI/O)的規(guī)格而論，待測硅穿孔裝置包含四信道，每一信道...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。