技術(shù)編號：12855334
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種光纖氘處理系統(tǒng)，屬于光纖生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域。背景技術(shù)在光纖生產(chǎn)過程中，光纖預(yù)制棒經(jīng)過拉絲、篩選、檢測、氘處理、性能試驗(yàn)(含氫損試驗(yàn))、入庫。通過高溫拉絲得到光纖存在著缺陷，這些缺陷的存在會(huì)導(dǎo)致光纖在氫損后附加損耗明顯增加，使得氫損后在1383±3nm的衰減系數(shù)大于了1310nm規(guī)定的衰減系數(shù)，不符合低水峰光纖的標(biāo)準(zhǔn)。含有缺陷的光纖通過氘處理的方法可以防止因氫損而導(dǎo)致1383±3nm的衰減系數(shù)增大。將光纖放入一個(gè)密閉的容器內(nèi)，充入一定濃度的氘氮混合氣體，加溫加壓保持一定的時(shí)間，讓光纖充分接...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。