技術(shù)編號：12828585
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。半導體裝置本申請是申請日為2011年12月29日、申請?zhí)枮?01180076035.8、發(fā)明名稱為“半導體裝置”的發(fā)明專利申請的分案申請。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及具備在與存儲器裝置之間進行數(shù)據(jù)的輸入輸出的接口電路的半導體裝置，特別涉及在與雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR：Doubledatarate)的同步存儲器(SynchronousMemory)之間進行數(shù)據(jù)的輸入輸出的半導體裝置。背景技術(shù)作為以雙倍數(shù)據(jù)速率進行數(shù)據(jù)的輸入輸出的同步存儲器，已知例如DDR-SDRAM(SynchronousDynamicRand...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。